Воздействие - внешнее электрическое поле
Cтраница 1
Воздействие внешнего электрического поля также создает ориентацию частиц, обладающих постоянными или индуцированными диполями и приводит к оптической анизотропии, изменяющей свой-бтва системы. Изучение электрических свойств коллоидных частиц посредством исследования оптических явлений во внешнем электрическом поле составляет основу электрооптики дисперсных систем. Успешное развитие этого направления в работах советской ( Цветков, Духин, Толстой и др.) и болгарской ( Шелудко, Стоилов и др.) научных школ способствовало становлению электрооптики в качестве одного из плодотворнейших методов изучения дисперсных систем ( подробней см. гл. [1]
Воздействие внешнего электрического поля также создает ориентацию частиц, обладающих постоянными или индуцированными диполями и приводит к оптической анизотропии, изменяющей свойства системы. Изучение электрических свойств коллоидных частиц посредством исследования оптических явлений во внешнем электрическом поле составляет основу электрооптики дисперсных систем. Успешное развитие этого направления в работах советской ( Цветков, Духин, Толстой и др.) и болгарской ( Шелудко, Стоилов и др.) научных школ способствовало становлению электрооптики в качестве одного из плодотворнейших методов изучения дисперсных систем ( подробней см. гл. [2]
Воздействие внешнего электрического поля также создает ориентацию частиц, обладающих постоянными или индуцированными диполями, и приводит к оптической анизотропии, изменяющей свойства системы. Изучение электрических свойств коллоидных частиц посредством исследования оптических явлений во внешнем электрическом поле составляет основу электрооптики дисперсных систем. Успешное развитие этого направления в работах советской ( Цветков, Духин, Толстой и др.) и болгарской ( Шелудко, Стоилов и др.) научных школ способствовало становлению электрооптики в качестве одного из плодотворнейших методов изучения дисперсных систем ( подробнее см. гл. [3]
Под воздействием внешнего электрического поля напряженностью Е все связанные заряды диэлектрика начинают смещаться и образовавшиеся диполи принимают определенную ориентацию в пространстве - диэлектрик переходит в упругое состояние. [4]
Под воздействием внешнего электрического поля электроды проводимости в металлической пленке приобретают направленный импульс, появляется электрический ток. Электроны проводимости рассеиваются в пленке, на ее поверхностях и решетке, на примесях и дефектах структуры. [5]
 |
Электрические зоны полупроводника в сильном электрическом поле.| Зависимость проводимости. [6] |
Под воздействием внешнего электрического поля напряженностью Е на полупроводник его энергетические зоны становятся наклонными. Это происходит из-за добавления к энергии электрона в полупроводнике в случае отсутствия внешнего поля дополнительной энергии, обусловленной внешним электрическим полем. Как видно из рис. 8.5 ( горизонтальные переходы / и 2), в сильном электрическом поле при наклоне зон возможен переход электрона из валентной зоны и примесных уровней в зону проводимости без изменения энергии - путем туннельного просачивания электронов через запрещенную зону. Этот механизм увеличения концентрации свободных носителей под действием сильного электрического поля называют электростатической ионизацией. [7]
Под воздействием внешнего электрического поля 2) заряды, входящие в состав диэлектрика, не срываются полем со своих мест, а лишь несколько смещаются из положений равновесия в некоторые новые равновесные положения. [8]
 |
К пояснению эффекта Ганна. [9] |
Под воздействием внешнего электрического поля домен может перемещаться через кристалл в направлении от катода к аноду со скоростью порядка 105 м / с. Учитывая, что домен может двигаться только против сил ноля ( так как под воздействием внешнего поля электроны, скопившиеся в области хг, преодолевают силы кулонов-ского притяжения к положительно заряженным донорам и устремляются к аноду), местом его зарождения всегда является область катода. [10]
 |
N-образная вольт-амперная характеристика однородного полупроводника.| Энергетические зоны полупроводника в случае сильного электрического поля. [11] |
При воздействии внешнего электрического поля с напряженностью Е на полупроводник его энергетические зоны становятся наклонными. [12]
Явления, обусловленные воздействием внешнего электрического поля на дисперсные системы с наличием на границе фаз двойного электрического слоя. [13]
Если любую молекулу подвергнуть воздействию внешнего электрического поля, то электроны внутри нее будут оттягиваться по направлению к положительному электроду, в то время как ядра будут притягиваться в противоположном направлении. В результате будет происходить смещение двух видов частиц относительно друг друга, вследствие чего произойдет деформация молекулы. Это явление временное; оно исчезает по удалении поля. [14]
Если любую молекулу подвергнуть воздействию внешнего электрического поля, то электроны внутри нее будут оттягиваться Ъо направлению к положительному электроду, в то время как ядра будут притягиваться в противоположном направлении. В результате будет происходить смещение двух видов частиц относительно друг друга, вследствие чего произойдет деформация молекулы. Это явление временное; оно исчезает по удалении поля. [15]
Страницы: 1 2 3 4