Cтраница 1
Любое воздействие на среду, в результате которого двуокись углерода удаляется из системы или связывается при химических реакциях ( например, при повышении температуры или увеличении щелочности среды), приводит к сдвигу химического равновесия реакции вправо и выпадению осадка СаСОз. В соответствии с этим воду, содержащую равновесное количество двуокиси углерода называют стабильной, неспособной самопроизвольно выделять осадок карбоната кальция, а воду, имеющую недостаток или избыток двуокиси углерода - нестабильной. При недостатке COz вода перенасыщена СаСОз и способна самопроизвольно его выделять, а при избытке СО2 вода, наоборот, недонасыщена СаСОз и способна его растворять. Такая вода называется еще и агрессивной, поскольку, не допуская образования на металлической поверхности защитных карбонатных пленок, она приводит к довольно сильной коррозии металла. [1]
Любое воздействие на среду, в результате которого двуокись углерода удаляется из системы или связывается при химических реакциях ( например, при повышении температуры или увеличении щелочности среды), приводит к сдвигу химического равновесия реакции вправо и выпадению осадка СаСОз - В водах, недонасыщен-ных COj, возможно выпадение карбонатов и окислов железа в виде крупных кристаллов с малой экранирующей способностью. В жестких водах, перенасыщенных С02, осадки в основном состоят из окислов железа, и скорость коррозии стали в них обычно достигает значительной величины. [2]
Любое воздействие, механическое или гидростатическое, действующее на клеточную оболочку вслед за метаболическими процессами, вызовет деформацию оболочки. Необратимая деформация полимерного каркаса оболочки невозможна без разрушения связей между молекулами полимера, будь то связи химические или физические. [3]
Любое воздействие на металл, приводящее к увеличению в нем дефектов кристаллического строения ( нарушения периодичности решетки), приводит к увеличению электрического сопротивления. Наряду с деформацией такими воздействиями являются закалка от высоких температур, облучение частицами высоких энергий. Отжиг деформированного, закаленного или облученного металла приводит к снижению электросопротивления вследствие частичного устранения дефектов решетки. Как правило, при температурах отжига, соответствующих температуре рекристаллизации, электросопротивление становится приблизительно равным исходному. Падение избыточного сопротивления, обусловленного наличием в металле дефектов решетки, начинается уже при низких температурах. Характерно, что падение сопротивления происходит неравномерно, при некоторых температурах оно идет быстрее. Различные стадии возврата электросопротивления соответствуют исчезновению вследствие миграции дефектов различных типов. Измерение кривых возврата электросопротивления является хорошим средством изучения дефектов кристаллического строения и их поведения - миграции, аннигиляции, образования комплексов и скоплений дефектов. [4]
Любое воздействие, способное изменять состав и ионообменные свойства мембраны, может преимущественно влиять на асимметрический потенциал. [5]
Любое воздействие, происходящее в природе, можно охарактеризовать целым числом квантов действия Nh, так что постоянная Планка h играет роль неделимой более порции или атома воздействия. Поскольку она очень мала, атомизм воздействия, как и всякий другой атомизм, в макроскопических опытах себя не проявляет, что согласуется с наблюдаемой непрерывностью воздействия в классической физике. [6]
Любое воздействие ( физическое или химическое), обеспечивающее разрыв и последующее восстановление связей поверхностных атомов, интенсифицирует процессы на второй стадии. [7]
Любое воздействие, вследствие которого высота барьера понижается, будет увеличивать скорость замещения. [8]
Любое воздействие на атом или молекулу в квантовой механике представляется оператором, к-рый зависит от переменных частиц, составляющих такую систему, и, следовательно, также может обладать определенной симметрией. [9]
Любое воздействие, приложенное к системе, вызывает переходный процесс. Однако в рассмотрение обычно вводят те переходные процессы, которые вызваны типовыми воздействиями, создающими условия более полного выявления динамических свойств системы. К числу типовых воздействий относятся сигналы скачкообразного или ступенчатого вида, возникающие, например, при включении системы или при скачкообразном изменении нагрузки; сигналы ударного действия, представляющие собой импульсы малой длительности по сравнению с временем переходного процесса. [10]
Любое воздействие на металл, приводящее к увеличению в нем дефектов кристаллического строения ( нарушения периодичности решетки), приводит к увеличению электрического сопротивления. Наряду с деформацией такими воздействиями являются закалка от высоких температур, облучение частицами высоких энергий. Отжиг деформированного, закаленного или облученного металла приводит к снижению электросопротивления вследствие частичного устранения дефектов решетки. Как правило, при температурах отжига, соответствующих температуре рекристаллизации, электросопротивление становится приблизительно равным исходному. Падение избыточного сопротивления, обусловленного наличием в металле дефектов решетки, начинается уже при низких температурах. Характерно, что падение сопротивления происходит неравномерно, при некоторых температурах оно идет быстрее. Различные стадии возврата электросопротивления соответствуют исчезновению вследствие миграции дефектов различных типов. Измерение кривых возврата электросопротивления является хорошим средством изучения дефектов кристаллического строения и их поведения - миграции, аннигиляции, образования комплексов и скоплений дефектов. [11]
Любое воздействие, поданное на систему, вызывает в ней динамический режим, по окончании которого система переходит в новое установившееся состояние. [12]
Любые воздействия на биогеохимический круговорот фосфора могут привести к серьезным локальным последствиям. [13]
Любое воздействие, способное изменять состав и ионообменные свойства мембраны, может преимущественно влиять на асимметрический потенциал. [14]
Любое воздействие на заготовку изменяет значение формирующихся элементарных погрешностей обработки. [15]