Различное внешнее воздействие

Cтраница 3

Значительно улучшить характеристики полупроводниковых микросхем и особенно повысить устойчивость к различным внешним воздействиям можно применением сапфировых подложек. Применение сапфировых подложек сравнительно просто решает проблему взаимной изоляции элементов кремниевых микросхем. [31]

Амплитудно-частотные характеристики. ФЭУ, снятые импульсным методом при освещении всего фотокатода. [32]

Эксплуатационные параметры ФЭУ характеризуют его поведение во времени или при различных внешних воздействиях. Ряд эксплуатационных параметров ФЭУ контролируется по изменению одного или нескольких его статических параметров. [33]

Схемы фосфороскопов. а - однодисковый. 1 - возбуждающий источник. 2 - фильтр. 3-конденсор, 4-диск. б - двухдисковый. / - - возбуждающий источник, 2 - конденсор, 3 и 4 - диски, 5 - BD - щество, 6-глаз наблюдателя. [34]

Необходимость быстрого вращения вещества делает однодисковый фосфороскоп неудобным для изучения влияния различных внешних воздействий ( например, температуры) на затухание свечения. Диски содержат ряд отверстий, смещенных друг относительно друга. Источник возбуждения ( /) и глаз наблюдателя ( 6) располагаются по разные стороны дисков, а люминесцирую-щее вещество ( 5) помещается между ними. Меняя расстояние между отверстиями и скорость вращения дисков, можно наблюдать послесвечение через раз -, ные промежутки времени после прекращения возбуждения. Двухдисковый фосфороскоп измеряет длительности послесвечения - 10 - 4 сек. [35]

Намагничивающие устройства, выполненные на основе постоянных магнитов. [36]

Наличие встроенного аналого-цифрового преобразователя позволяет автоматически учитывать в процессе контроля влияние различных внешних воздействий, например: геометрических размеров, температуры. Имеется возможность подключения к прибору внешних регистрирующих, запоминающих устройств и ЭВМ. [37]

Оптическая анизотропия в теле может быть создана и искусственно, с помощью различных внешних воздействий. Обычное стекло аморфно и изотропно. [38]

Свойства изделий должны сохраняться в течение длительного срока без изменений под влиянием различных внешних воздействий ( окружающей среды и пр. [39]

Оптическая анизотропия в теле может быть создана и искусственно, с помощью различных внешних воздействий. Обычное стекло аморфно и изотропно. [40]

Выше неоднократно отмечалось, что в эксперименте часто приходится иметь дело с различными внешними воздействиями, которые систематически вносятся в процесс наблюдения и приводят к так называемым систематическим ошибкам ( мы не рассматриваем здесь различные систематические изменения в характере исследуемого явления, которые должны быть предметом особого анализа ( гл. Среди систематических ошибок нередко встречаются систематически действующие факторы, которые трудно поддаются анализу и контролю. [41]

Загрязненные газы, поступающие в электрофильтр, всегда оказываются частично ионизированными за счет различных внешних воздействий ( рентгеновских и космических лучей, радиоактивных излучений, нагрева газа и др.), поэтому они способны проводить ток, попадая в пространство между двумя электродами. Сила тока зависит от числа ионов и напряжения между электродами. При увеличении напряжения в движение между электродами вовлекается все большее число ионов и сила тока растет до тех пор, пока в движении не окажутся все ионы, имеющиеся в газе. При этом величина силы тока становится постоянной ( ток насыщения), несмотря на дальнейший рост напряжения. При некотором достаточно большом напряжении движущиеся ионы и электроны настолько ускоряются, что, сталкиваясь с молекулами газа, ионизируют их, превращая нейтральные молекулы в положительные ионы и электроны. Образовавшиеся новые ионы и электроны ускоряются электрическим полем и, в свою очередь, ионизируют новые молекулы газа. Этот процесс, названный ударной ионизацией газа, протекает устойчиво лишь в неоднородном электрическом поле, характерном для цилиндрического конденсатора. [42]

В то время как к пассивным диэлектрикам предъявляются требования сохранения стабильности свойств при различных внешних воздействиях, к диэлектрикам, выполняющим активные функции управления энергией или преобразования поступающей информации, предъявляются требования совершенно противоположные. Чем сильнее изменяются свойства материала при внешних возмущениях, тем лучше такой элемент выполняет свои функции. [43]

Таким образом, коэффициент тг характеризует соотношение изменений скоростей разрушения и ползучести при различных внешних воздействиях. [44]

Статическим регулированием называется такое регулирование, при котором регулируемая величина ( уровень) при различных внешних воздействиях ( расход) на регулируемый объект по окончании переходного процесса принимает различные значения, зависящие от величины воздействия; при этом величина отклонения регулируемой величины от среднего ( заданного) значения не должна выходить за пределы зоны регулирования. [45]

Страницы: 1 2 3 4