Cтраница 1
![]() |
Схема классификации видов изнашивания ( по И. В. Крагель. [1] |
Последующее механическое воздействие приводит к разрушению и износу пленки. На обнаженных участках процесс повторяется вновь. Окислительному износу подвергаются шейки коленчатых валов, цилиндры и другие детали, работающие при трении скольжения. [2]
![]() |
Образованней разрушение пленок окислов стали 45, X 20 000. а - до разрушения. б - начало разрушения. в - разрушение. [3] |
Последующие механические воздействия приводят к разрушению и уносу пленки. Далее на обнаженных ( ювенильных) участках процесс повторяется. [4]
![]() |
Размыв трубопровода на приурезном участке. [5] |
Следовательно, наибольшую опасность для эксплуатационной надежности подводных трубопроводов представляют оголение труб и последующие механические воздействия. Именно на устранении этих факторов должны быть сосредоточены усилия проектировщиков, строителей и эксплуатационников. [6]
Некоторые закономерные отклонения от правильного строения кристалла, возникающие или в процессе образования его, или в результате последующих механических воздействий, или по другим причинам, называют дислокацией кристаллов. Известны различные виды дислокации кристаЛ лов. На рис. 51 представлен пример дислокации, которая возникает при срастании двух кристаллов, обладающих близкой ( но не одинаковой) ориентацией. Характер и концентрация дислокаций, устранение имеющихся или возникновение новых могут сильно влиять на свойства кристаллов и, в частности, на их механическую прочность. [7]
![]() |
Схема дислокации кристаллической решетки. [8] |
Некоторые закономерные отклонения от правильного строения кристалла, возникающие или в процессе образования его, или в результате последующих механических воздействий, или по другим причинам, называют дислокацией кристаллов. Известны различные виды дислокации кристаллов. На рис. 51 представлен пример дислокации, которая возникает при срастании двух кристаллов, обладающих близкой ( но не одинаковой) ориентацией. Характер и концентрация дислокаций, устранение имеющихся или возникновение новых могут сильно влиять на свойства кристаллов и, в частности, на их механическую прочность. [9]
![]() |
Схема дислокации кристаллической решетки. [10] |
Линейные дефекты кристаллической решетки, нарушающие правильное чередование атомных плоскостей, возникающие или в процессе образования кристалла, или в результате последующих механических воздействий, или по другим причинам, называют дислокацией кристаллов. Известны различные виды дислокации кристаллов. На рис. 84 представлен пример дислокации, которая возникает при срастании двух кристаллов, обладающих близкой ( но не одинаковой) ориентацией. [11]
Весьма важно, чтобы брикеты, полученные при сравнительно высоких температурах окисления или отгазовьгвания, обладали достаточной механической прочностью при этих температурах и при последующих механических воздействиях. При температурах овыше 300 они слишком текучи и достаточной прочности брикетов, полученных при этих температурах, не обеспечивают. Это вызывает необходимость производства новых видов связующего, которые имели бы высокие температуры затвердевания. [12]
![]() |
Образование и разрушение пленок окислов стали 45. Увеличение X 20 000 а - до разрушения. б - начало разрушения. - полное разрушение. [13] |
В результате многократного нагружения и под влиянием внутренних напряжений в пленке вторичных структур происходит образование и развитие микротрещин, а на поверхности раздела ( металл-окисел) - ослабление связей и отслаивание пленки вследствие несоответствия дислокационных систем пленки и металла. Последующие механические воздействия приводят к разрушению и уносу продуктов разрушения пленки из зоны трения. Затем на обнаженных ( ювенильных) участках поверхности процесс повторяется. [14]
В результате многократного нагружения и внутренних напряжений в пленке вторичных структур происходит образование и развитие микротрещин, а на поверхности раздела пленки и основного металла - ослабление связей и отслаивание пленки. Последующие механические воздействия приводят к разрушению и уносу пленки. Далее на обнаженных участках процесс повторяется. [15]