Изоляция - затвор
Cтраница 2
МОП-транзисторов изоляция затвора ( двуокись кремния) несовершенна, что приводит к токам утечки, находящимся в пикоамперном диапазоне. У ПТ с р - - переходом изоляция затвора на самом деле является обратносмещенным диодным переходом и механизмы тока утечки через нею те же, что и у обычного диода. Кроме того, ПТ с р - переходом ( - канальные в особенности) подвержены дополнительному эффекту, известному как ток ударной ионизации затвора; он может достигать астрономических уровней. И наконец, как ПТ с р - переходом, так и МОП-транзисторы имеют динамический ток затвора, возникающий при воздействии сигналов переменного тока на емкость затвора; это может вызвать эффект Миллера, совсем как у биполярных транзисторов. [16]
 |
Схема ЗЭ ППЗУ с электрической записью информации и стиранием ультрафиолетовым светом ( а и структура р-канального транзистора МДП-типа с плавающим затвором ( б. [17] |
Схема ЗЭ ППЗУ с электрической записью и стиранием информации приведена на рис. 6.21, а, где 7 -адресный р-канальный транзистор МДП-типа, а Т2 - запоминающий транзистор МНОП-типа. От структуры обычного / ьканального транзистора МДП-типа она отличается лишь методом изоляции затвора. В рассматриваемом приборе металлический затвор изолирован от кремния с проводимостью я-типа двумя диэлектрическими слоями: первый из них-слой нитрида кремния толщиной в несколько десятков нанометров и второй-слой двуокиси кремния толщиной менее Знм. [18]
При монтаже полевого транзистора на печатной плате следует обратить внимание на то, чтобы его выводы были соединены между собой, а паяльник был заземлен. В противном случае полевой транзистор может выйти из строя из-за пробоя изоляции затвора. [19]
 |
Структура диодного тиристора. [20] |
Транзисторы с изолированным затвором имеют преимущества в отношении температурных, шумовых, радиационных и других свойств, отмеченных для полевых транзисторов с n - p - переходом, и, кроме того, обладают еще рядом достоинств. Входное сопротивление постоянному току на низких частотах у них представляет собой сопротивление изоляции затвора и достигает 1012 - 1015 Ом. Входная емкость может быть меньше 1 пФ, и предельная частота доходит до сотен мегагерц. Разработаны мощные транзисторы с изолированным затвором, имеющие крутизну 10 мА / В и больше и работающие на частотах в сотни мегагерц. Следует отметить, что изготовление полевых транзисторов по планарно-эпитаксиальной технологии сравнительно несложно и упрощает создание микроэлектронных схем. Особенно просто изготовляются МДП-транзисторы с индуцированным каналом, так как в кристалле надо сделать лишь две области истока и стока. [21]
 |
Цепи защиты входа ( выхода КМОП-схем. Последовательно включенный резистор на выходе часто не ставится. [22] |
Все интегральные КМОП-схемы имеют ту или иную схему защиты входа, так как в противном случае изоляция затвора легко разрушается ( см. разд. Обычная схема такой защиты показана на рис. 3.50. Хотя в ней можно использовать распределенную диодную матрицу, однако данная цепь эквивалентна фиксирующим диодам, подключенным к Ucc и С / ии, в сочетании с резистивной токоограни-чивающей цепью. Если напряжение на входе ( или на выходе) превысит напряжение питания более чем на падение напряжения на диодном переходе, соответствующий диод перейдет в состояние проводимости, и для входа ( или выхода) образуется цепь с низким полным сопротивлением относительно соответствующего источника питания. Но что еще хуже, чип при возбуждении входа может войти в так называемое КУВ-защслки-вание - ужасное ( и разрушительное) состояние, которое мы более подробно опишем в разд. Все что необходимо нам знать о нем сейчас-это то, что данное состояние нежелательно. [23]
Униполярные ( канальные, или полевые) транзисторы в полупроводниковых ИС могут быть диффузионными и типа МДП. В обоих случаях проводимость полупроводникового канала между истоком и стоком ( соответствует эмиттеру и коллектору в биполярном транзисторе) изменяется под действием напряжения, приложенного к затвору ( соответствует базе), изолированному от канала. В случае диффузионного транзистора изоляция полупроводникового затвора от канала производится запертым р - - переходом. В случае МДП-транзистора металлический затвор изолируется от канала диэлектрической пленкой. [24]
Страницы: 1 2