Уравнение - эберс
Cтраница 1
Уравнения Эберса - Молла (2.8) - (2.10) справедливы для всех режимов работы транзистора и, несмотря на приближенность отражения реальных соотношений в транзисторе, очень полезны для анализа статических режимов. [1]
 |
Ключи с общим эмиттером и общим коллектором. [2] |
Для проведения расчетов по уравнениям Эберса - Молла нужно знать как нормальные, так и инверсные параметры транзистора. [3]
 |
Зависимость базового и коллекторного токов транзистора от напряжения между базой и эмиттером. [4] |
В дальнейшем вы увидите, как уравнение Эберса - Молла помогает решить эту проблему. [5]
Уравнение для / к известно под названием уравнение Эберса - Молла. Оно описывает также зависимость тока от напряжения для диода. Бэ точно соблюдается в большом диапазоне токов, обычно от наноампер до миллиампер. На рис. 2.31 приведен график этой зависимости. [6]
На), связывающие токи с напряжениями в триоде, известны в литературе под названием уравнений Эберса и Молла. [7]
И еще одна зависимость пригодится нам на практике, правда, она не связана с уравнением Эберса - Молла. Речь идет об эффекте Эрли, описанном в разд. [8]
 |
Инжекционный ( а и передаточный ( б варианты упрощенной модели Эберса - Молла.| Модифицированная упрощенная модель эберса - Молла с одним генератором тока ( а и линейная гибридная я-мо. [9] |
Многие модели, используемые для описания работы транзистора при передаче больших сигналов, основаны на уравнениях Эберса - Молла. Эти модели применимы для любого режима транзистора: насыщения, инверсного и нормального режимов и режима отсечки. Для практического анализа цепей такие эффекты, как модуляция ширины базы и зависимость коэффициента усиления по току от силы тока, не учитываются. В упрощенных моделях также не принимаются во внимание эффекты, связанные с нелинейным накоплением заряда. [10]
Мы перечислили основные соотношения, которые могут быть полезны на практике. Эти соотношения, а не сами уравнения Эберса - Молла, используются при разработке транзисторных схем. [11]
В усилителе с заземленным эмиттером смещение выполнить трудно. Возникает соблазн просто подать напряжение ( с делителя), которое обеспечит нужный ток покоя в соответствии с уравнением Эберса - Молла. [12]
Мы предлагаем вам другой подход. Как только начнут проявляться ограничения модели, дополним ее с учетом уравнений Эберса - Молла, Полученная таким образом модель даст правильное представление о работе транзистора; с ее помощью вы сможете создавать самые хорошие схемы, не прибегая к большим расчетам. Кроме того, характеристики ваших схем не будут серьезно зависеть от таких неуправляемых параметров транзистора как, например, коэффициент усиления по току. [13]
Подзаголовком этого приложения могут стать такие слова: Диод база - коллектор одерживает победу над транзистором. На простой модели транзистора, в образе которого выступает человек, можно убедиться в наличии конечного напряжения насыщения, которым обладает биполярный транзистор. Основная идея состоит в том, что переход коллектор - база представляет собой большой диод с высоким значением / 0 ( уравнение Эберса - Молла), значит, в открытом состоянии напряжение на нем при заданном значении тока ниже, чем на диоде база - эмиттер. В связи с этим уменьшается эффективное значение Л21Э, и для того, чтобы потенциал коллектора был близок потенциалу эмиттера, приходится поддерживать относительно большие базовые токи. [14]
Страницы: 1