Уровень - вакуум
Cтраница 3
Длинноволновая граница таких фотокатодов определяется шириной запрещенной зоны узкозонного полупроводника ( InGaAs), в котором происходит поглощение света. Сильное электрическое поле переводит фотоэлектроны из InGaAs в верхний слой InP и увеличивает их энергию до значения, превышающего уровень вакуума. Фотокатоды такого типа обладают чувствительностью в области А, до 1 7 мкм. В табл. 25.16, 25.17 и на рис. 25.14 - 25.26 приведены характеристики наиболее распространенных фотокатодов. [31]
Этот процесс состоит в следующем. При возбуждении атома первичными электронами происходит переход электрона с какого-либо внутреннего уровня ( например, К) в свободное состояние выше уровня вакуума. [33]
Оптимальный вакуум в турбоустановке обеспечивается поддержанием в чистом состоянии трубной системы и трубных досок конденсаторов, минимальных присосов воздуха в вакуумную систему турбоустановки, оптимальных расходов охлаждающей воды. При определении оптимального для данного режима турбоустановки рас хода охлаждающей воды учитываются изменения затрат электроэнергии на привод циркуляционных насосов и выработки электроэнергии турбоагрегатом при соответствующих изменениях уровня вакуума и конденсаторе. [34]
Молекула же, потерявшая электрон, превращается в молекулу кристалла, приобретая энергию поляризации Ph; соответствующий уровень принято называть валентным. Важно отметить, что валентный уровень кристалла находится ближе к уровню вакуума, так как легче ионизовать нейтральную молекулу кристалла, поскольку остаточный положительный заряд стабилизируется своей энергией поляризации Ph. По той же причине труднее переместить избыточный электрон на уровень вакуума, так как исходный ион более устойчив в кристаллическом окружении. Энергетический зазор Е между первым уровнем проводимости и валентным уровнем называется энергетической щелью; Е равно той энергии, которая освобождается при рекомбинации положительного и отрицательного носителей заряда, находящихся в кристалле на наинизших уровнях энергии. С другой стороны, Е - это минимальная энергия, необходимая для создания несвязанной пары носителей внутри кристалла. [35]
 |
Спектральная зависимость квантового выхода фотоэмиссии для сильнолегированного кремния и - и. - типов ( 631 1 эВ, х - 4эВ. L - n - тип, 2-р-тип. [36] |
Большинство фотоэлектронов рассеивает свою энергию до подхода к поверхности и теряет возможность выйти в вакуум. При энергии фотонов вблизи порога фотоэффекта большинство фотоэлектронов возбуждается ниже уровня вакуума и не дает вклада в фотоэмиссионный ток. УФ-областях велик и лишь малая часть излучения поглощается в металле. [37]
На рис. 10.11 был показан резкий акачок энергетических уровней на границе раздела кристалл - вакуум. Определение величины разрыва зон является самостоятельной задачей как для границы кристалл - вакуум, так и для границы раздела между двумя кристаллами. ЛКАО позволяет определить энергетические уровни ЛО значениям атомных термов, измеренных от уровня вакуума. Энергия терма равна взятой со знаком минус энергии, которую нужно затратить для того, чтобы оторвать электрон с данного атома и переместить его та бесконечность. [38]
Фотокатоды, чувствительные в видимой области спектра, представляют собой антимониды щелочных металлов. Некоторые из них ( CsNa2KSb) чувствительны и в ближней инфракрасной области спектра, вплоть до А850 - н 900 нм. В настоящее время разработан новый класс фотокатодов - с ОЭС. Фотокатоды с ОЭС представляют собой сильнолегированные полупроводники р-типа ( GaAs, Si, твердые растворы GalnAs, InGaAsP и другие), работа выхода которых сильно снижена адсорбцией цезия и кислорода, так что уровень вакуума находится ниже дна зоны проводимости в полупроводнике. Они обладают наивысшей чувствительностью в красной и инфракрасной областях спектра. [39]
Страницы: 1 2 3