Высокий уровень - сигнал
Cтраница 3
 |
Принципиальная электрическая схема ( а и временные диаграммы работы ( б ЗЭ динамического МОП-ЗУ. [31] |
При записи на линию У поступает сигнал D, соответствующий записываемому двоичному знаку. Затем на линию X подается высокий уровень сигнала CWR, открывающий транзистор 7, который подключает к линии У емкость С. [32]
В этой схеме при низком уровне сигналов на входе напряжение на выходе также низкое. Однако достаточно на любой из входов подать высокий уровень сигнала, как на выходе появится напряжение, пропорциональное входному сигналу. Таким образом осуществляется операция логического сложения. [33]
Таким образом, в первоначальный момент после включения ламп напряжение на неинвертирующем входе ОУ большее, чем на инвертирующем. А это означает, что на выходе компаратора будет высокий уровень сигнала. Транзистор VT1 при этом будет открыт, a VT2, наоборот, закрыт. [34]
В последнем случае возможны два режима работы рассматриваемого усилителя. В этом случае высокому уровню сигнала на частоте VH на входе усилителя соответствует высокий уровень сигнала на частоте vn на выходе усилителя. VH, v0 становится настолько сильным, что появление на входе усилителя сигнала на частоте vc приводит ( в соответствии с соотношениями ( 1)) к такому уменьшению сигнала частоты VH на выходе усилителя, что его можно считать логическим нулем. [35]
Интегральная схема 74LS14 является инвертируюш нм триггером Hex Smith. Низкий уровень сигнала на входе приводит к высокому уровню сигнала на выходе, а высокий уровень сигнала на входе - к низкому уровню сигнала на выходе. Эта интегральная схема используется для запирания сигнала. В отличие от нормального ТТЛ-затвора входные сигналы изменяются скачкообразно, что используется для достижения режима медленно меняющихся выходных сигналов или сигналов с помехами на выходе. Точка хода для положительного сигнала составляет 1 7 Б, а для отрицательного сигнала составляет 0 9 В. Скачкообразный переход или область гистерезиса составляет порядка 0 8 В. Задержка на распространение сигнала в затворе обычно равна 17 не. [36]
 |
Электропроводность неидеальной плазмы ксенона.| Электропроводность неидеальной плазмы ксенона. [37] |
Следует отметить проблемы, с которыми мы столкнулись при проведении экспериментов и пути их решения. Основная принципиальная трудность, ограничивающая зондовые измерения в ударно-сжатой плазме, находящейся в магнитном поле - высокий уровень посторонних сигналов, порожденных изменением магнитного потока через контуры, образованные измерительными цепями. Применительно к измерению эффекта Холла проблема осложняется тем обстоятельством, что с ростом электронной концентрации уменьшается величина регистрируемого сигнала. Для ее решения, во-первых - была проведена оптимизация конструкции измерительной ячейки, во-вторых - при обработке экспериментальных осциллограмм использовалась частотная методика выделения полезного сигнала из общего. Другая группа вопросов относится к генерации проводящей плазмы, находящейся в пространственно однородном магнитном поле. Для их решения необходимо учесть эффекты, связанные с взаимодействием нестационарного магнитного поля и движущейся проводящей среды. Оценки показывают, что генерацию неидеальной высокопроводящей плазмы ( Аг и Хе), находящейся в магнитном поле, можно осуществить с помощью методики двукратного сжатия при скоростях фронта падающей ударной волны 2 - 4 км / с. Однако в этих условиях возникают проблемы организации одномерного стационарного течения плазмы, т.к. волны боковой разгрузки заметно искривляют плоский фронт ударной волны с ее удалением от среза заряда. Поэтому измерительная ячейка устанавливалась в таком месте, чтобы область плазменного образования с плоским фронтом имела достаточные размеры для диагностики ее свойств. Немаловажное значение имеет выбор материала генератора: с одной стороны, он должен выдерживать необходимые начальные давления, с другой стороны, скорость распространения ударно-волнового возмущения по материалу генератора должна быть меньше скорости ударной волны в исследуемом газе. Для исследований плазмы Аг и Хе в качестве материала генератора был выбран винипласт. [38]
Телевизионные антенны коллективного пользования устанавливаются только в зоне уверенного приема телевизионной пере - - дачи. В зависимости от напряженности поля в точке приема и от количества абонентов коллективной антенны при ее установке она комплектуется специальным усилительным устройством для того, чтобы обеспечить высокий уровень сигнала в магистрали, к которой подключены абонентские отводы. Это необходимо в связи с тем, что во избежание взаимных помех между телевизорами каждый абонентский отвод имеет слабую связь с магистралью коллективной антенны. Конструкции коллективных антенн-могут быть рассчитаны на прием одной или нескольких лрограмм в зависимости от того, сколько программ может приниматься в данной местности. [39]
 |
Тристабильный инвертор и его таблица истинности. [40] |
Большинство цифровых приборов имеет два устойчивых состояния. Однако тристабильные устройства имеют дополнительное состояние, называемое состоянием с высоким значением импеданса Z. Схема тристабильного инвертора и соответствующая таблица истинности приведены на рис. 4.7. Когда на линии управления высокий уровень сигнала, схема работает как обычный инвертор. Если же линия управления находится в состоянии 0, выход инвертора переходит в состояние с высоким значением импеданса Z и схема отключается от системы. Тристабильные устройства позволяют подключить к любой линии на шине одно из присоединенных к шине устройств. Выход выбранного устройства находится в состоянии с низким сопротивлением ( логические 0 или 1), в то время как другие устройства находятся в состоянии с высоким импедансом Z. Это существенно упрощает организацию системы и решает проблему обеспечения необходимого коэффициента разветвления по выходу. [41]
Обе предыдущие схемы имеют два недостатка: они потребляют ток во включенном состоянии и имеют относительно большое выходное сопротивление в выключенном состоянии. На рис. 6.39 показана лучшая схема. Ее можно назвать пушпуль-ным ключом: при уровне земли на входе выключается нижний транзистор и включается верхний и на выходе появляется высокий уровень сигнала. [42]
Следует отметить, что применительно к вычислительным машинам под высказыванием подразумевают сигналы, действующие на входах и выходах различных устройств. Под простыми высказываниями понимаются сигналы, действующие на входах различных схем; под сложными высказываниями - сигналы, действующие на выходах этих схем. При этом не интересуются количественной характеристикой сигнала, а рассматривают его только с качественной стороны. При наличии высокого уровня сигнала на входе либо выходе схемы устройства говорят, что высказывание истинно, а при отсутствии сигнала - высказывание ложно. [43]
Сигналы ЧТЕН и ЗАП служат для организации процедуры обмена данными по единой магистрали. Если устройство управления выставляет сигнал ЧТЕН совместно с сигналом СНХР, то это значит, что устройство обработки информации принимает по магистрали данные от Другого устройства. И наоборот, выдача сигнала ЗАП означает, что данные из устройства обработки информации установлены на линиях системной магистрали и могут быть восприняты ячейками памяти или внешними устройствами. В некоторых случаях два сигнала, указывающих направление передачи данных, передаются по одной линии в виде ЧТ / ЗП, т.е. высокий уровень сигнала соответствует чтению, а низкий - записи. [44]
В электронных схемах отрицание реализуется с помощью ключевого элемента НЕ, построенного на усилительном приборе. Сигналы на выходе ключа инвертируются в зависимости от значений входных сигналов. По виду реализуемой логической функции базовые ЛЭ могут быть разделены на простейшие элементы одноступенчатой ( И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ) и двухступенчатой ( Й - ИЛИ, И - ИЛИ-НЕ) логики. Следует отметить, что все потенциальные цифровые элементы могут работать в двух логических режимах. Если за 1 принят высокий уровень сигнала, имеет место положительная логика работы элемента ИЛИ-НЕ. [45]
Страницы: 1 2 3 4