Нулевой уровень - схема
Cтраница 1
 |
Влияние динамического диапазона усилителя.| Влияние способа коммутации на нулевой уровень транзисторного модулятора. [1] |
Нулевой уровень схемы при использовании транзисторного усилителя оказывается значительно меньше, особенно его токовая составляющая / экв / ( R R), обусловленная процессами при запирании транзистора, величина которой уменьшается примерно в пять раз. [2]
Определяя нулевой уровень схемы рис. 3 - 23 с германиевыми транзисторами типа П407, примем, что параметры полной эквивалентной схемы рис. 4 - 3 обоих транзисторов одинаковы, за исключением величины динами-еских сопротивлений закрытых транзисторов г3, которые отличаются в два раза. [3]
 |
Влияние паразитных емкостей в схеме вида L-1 со сглаживающим конденсаторным фильтром. [4] |
При этом нулевой уровень схемы оказывается равным eliy 2 мв. [5]
Таким образом, нулевой уровень компенсированной схемы транзисторного модулятора может появиться даже при одинаковых остаточных источниках вследствие различия в динамических сопротивлениях транзисторных ключей. [6]
Количественно величина дрейфа нулевого уровня схем транзисторных модуляторов может быть определена по выражениям, приведенным в табл. 4 - 4 и 4 - 5, если значения U3KB и / экв вычислять не по абсолютным значениям остаточных напряжений и токов транзисторных ключей, а по их приращениям. [7]
Выражения для определения нулевого уровня структурно-компенсированных схем модуляторов вида С-3 и L-3, с учетом влияния динамических сопротивлений транзисторных ключей, приведены в табл. 4 - 4 и 4 - 5 вместе с аналогичными выражениями для некомпенсированных схем модуляторов. [8]
В четвертой главе анализируется нулевой уровень схем модуляторов с транзисторными ключами и обсуждаются методы его уменьшения при помощи использования компенсированных транзисторных ключей и структурно-компенсированных схем модуляторов. Рассматривается влияние паразитных емкостей коммутирующего трансформатора на нулевой уровень схем модуляторов и даются рекомендации по уменьшению помехи модулятора, обусловленной этими паразитными емкостями. [9]
Один из способов уменьшения нулевого уровня схем транзисторных модуляторов заключается в использовании в некомпенсированных схемах модуляторов вида С -, С-2, L-1 и L-2 рис. 3 - 8 компенсированных транзисторных ключей. [10]
 |
Характеристики преобразования модуляторов.| Характеристика преобразования модулятора без учета фазы выходной координаты. [11] |
Очевидно, что их изменение будет приводить к изменению величины нулевого уровня схемы модулятора. [12]
 |
К определению нулевого уровня модуляторов со сглаживающими фильтрами. [13] |
Схемы модуляторов, в которых не предусмотрено никаких мер для компенсации влияния остаточных источников эквивалентной схемы транзисторного ключа ( см. рис. 3 - 2, а к в) на нулевой уровень схемы модулятора, будем называть некомпенсированными. [14]
В четвертой главе анализируется нулевой уровень схем модуляторов с транзисторными ключами и обсуждаются методы его уменьшения при помощи использования компенсированных транзисторных ключей и структурно-компенсированных схем модуляторов. Рассматривается влияние паразитных емкостей коммутирующего трансформатора на нулевой уровень схем модуляторов и даются рекомендации по уменьшению помехи модулятора, обусловленной этими паразитными емкостями. [15]
Страницы: 1 2