Малый уровень - собственный шум
Cтраница 1
Малый уровень собственных шумов, так как в полевых транзисторах, в отличие от биполярных, в создании тока участвуют заряды только одного знака, что исключает появление ре-комбинационного шума. [1]
Малый уровень собственных шумов, так как в полевых транзисторах, в отличие от биполярных, в переносе тока участвуют заряды только одного знака, что исключает появление рекомби-национного шума. [2]
Гетеродин должен иметь малый уровень собственных шумов. [3]
Параметрические диодные усилители имеют малый уровень собственных шумов. Белый шум отсутствует, так как сопротивление диода имеет емкостный характер. Такие усилители применяют для усиления слабых сигналов с частотами сотни мегагерц и выше. Недостатком их является необходимость в достаточно мощном генераторе высокой частоты. [4]
Важнейшими особенностями полевых транзисторов являются малый уровень собственных шумов и стабильность параметров ьо времени. Это объясняется тем, что выходной ток в полевом транзисторе протекает в объеме монокристалла, в котором отсутствуют поверхностные дефекты кристаллической структуры, вызывающие у МДП-транзисторов шумовые флуктуации тока, нестабильность параметров и снижение подвижности носителей заряда. [5]
 |
Спектральная характеристика фотосопротивления Ge. Hg. [6] |
Фотосопротивления из антимонида индия имеют малый уровень собственных шумов, поэтому их можно применять для регистрации слабых лучистых потоков. Темновое сопротивление неохлажденных приемников из антимонида индия порядка десятков ом, что затрудняет их согласование с последующими каскадами усиления и электронную обработку сигнала. При охлаждении слоя InSb до температуры 77 К его сопротивление увеличивается до 10 ком. [7]
 |
ЯО. Диодный смеситель. [8] |
Преимуществом ламповых смесителей перед диодными является малый уровень собственных шумов при значительном коэффициенте передачи каскада. [9]
 |
Кривые резонанса двух каскадов УПЧ с попарно-расстроенными контурами. [10] |
Поэтому в нем необходимо обеспе - чить малый уровень собственных шумов. [11]
Усилительные туннельные диоды должны иметь высокие предельные частоты и малый уровень собственных шумов. С точки зрения шумов германиевые туннельные диоды имеют преимущества по сравнению с арсенид-галлиевыми. Но в тех случаях, когда шумы не имеют первостепенного значения, предпочтение иногда отдают туннельным диодам из арсенида галлия из-за их более широкого динамического диапазона. В последнее время разработаны туннельные диоды из антимонида галлия, имеющие меньший уровень шумов по сравнению с германиевыми. Такие туннельные диоды целесообразно использовать в приемно-усилительных устройствах свч. [12]
Характерной особенностью полевых диффузионных и МОП-транзисторов является большое входное сопротивление и малый уровень собственных шумов. [13]
 |
Упрощенная ( пассивная эквивалентная схема полевого транзистора. [14] |
Как уже отмечалось, полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивление и малый уровень собственных шумов. Прохождение тока связано с движением основных носителей через область полупроводника, которую принято называть каналом. [15]
Страницы: 1 2 3 4