Cтраница 3
Два электрона наинизшей энергии со спаренными спинами занимают ls - АО. Следующие два электрона занимают следующий низший энергетический уровень 2s - AO также со спаренными спинами. Пятый электрон занимает одну 2j9 - AO, а шестой электрон находится на другой, но энергетически эквивалентной 2р - АО. [31]
Остальные слагаемые имеют высокие значения отрицательного показателя степени и могут быть отброшены. Для простоты энергия е0 низшего энергетического уровня принимается за нуль. [32]
Во время этого краткосрочного, неустойчивого существования осколки молекул могут комбинироваться между собой или с соседними молекулами, создавая временные, также недостаточно устойчивые образования, пока в виде последовательно ( и параллельно) развивающихся промежуточных ступеней ( наподобие упоминавшихся ступенчатых реакций) не придут к устойчивой форме, зависящей от внешних, режимных условий. При этом они реко мбинируются в молекулы низшего энергетического уровня при выделении свободного тепла или в молекулы более высокого энергетического уровня при затрате внешнего тепла. [33]
Однако значения энергий диссоциации обеих связей различаются между собой. Это объясняется тем, что, согласно квантовой теории, самый низший энергетический уровень расположен выше точки минимума на потенциальной кривой на величину нулевой колебательной энергии, которая не одинакова для двух изотопов. Говоря более определенно, запишем, что нулевая энергия равна E0 l / 2hv, где v - колебательная частота. [34]
Коэффициент поглощения некоторой населенности атомов или других поглотителей в общем случае зависит не только от длины волны и силы осциллятора или эйнштейновских коэффициентов перехода, но и от доли атомов, находящихся в низшем ( поглощающем) состоянии. Поток фотонов, создаваемый обычными источниками света, так мал, что атом, поглотивший фотон, обычно возвращается на низший энергетический уровень задолго до того, как придет другой фотон, который может быть поглощен этим же атомом. Следовательно, доля атомов на нижнем энергетическом уровне очень мало отклоняется от равновесного значения независимо от величины плотности падающего излучения, создаваемой источником. Поэтому кажется, что коэффициент поглощения не зависит от освещенности при низких плотностях падающего излучения. [35]
Рассмотренные особенности строения полимеров позволяют найти связь между составом и свойствами. Действительно, высокая гибкость цепи ( малые величины AU и U0) позволяет легко растянуть цепь небольшим внешним усилием, после снятия которого система возвращается на исходный низший энергетический уровень. [36]
Рассмотренные особенности строения полимеров позволяют найти связь между составом и свойствами. Действительно, высокая гибкость цепи ( малые величины AU и U0) позволяет легко растянуть цепь небольшим внешним усилием, после снятие которого система возвращается на исходный низший энергетический уровень. [37]
Рассмотренные особенности строения полимеров приближают нас к поставленной цели - нахождению связи между составом и свойствами. Действительно, высокая гибкость цепи ( малые величины At / и t / o) позволяет легко растянуть цепь небольшим внешним усилием, после снятия которого система возвращается на исходный низший энергетический уровень. [38]
Другая группа статей носит более эмпирических характер в том смысле, что исходит з трактовки ядерных конфигураций как экспериментального факта. Цель работ Будро, Гинзе и Питцера и Джортнера, Вильсона и Раиса состоит в получении информации об электронной структуре молекулы с помощью изучения количества энергии, требуемой для перехода молекулы с низшего энергетического уровня на один из возбужденных электронных уровней. [39]
Атомные ядра обладают массой, которая указывается их массовым числом, и электрическим зарядом, определяющим химическую индивидуальность элемента. Ядра могут находиться в различных энергетических состояниях, или на энергетических уровнях, которые характеризуются ядерными квантовыми числами. Низший энергетический уровень соответствует основному состоянию, а остальные - возбужденным состояниям. Атомные ядра по-разному взаимодействуют с внешним или образуемым электронами своего атома электромагнитным полем в зависимости от энергетического состояния, в котором они находятся. [40]
Индуцированное ( вынужденное или стимулированное) излучение и поглощение. Переход электрона с одного энергетического уровня на другой может произойти под воздействием внешнего электромагнитного поля. Переход вниз с более высокого на низший энергетический уровень сопровождается, как обычно, излучением кванта энергии, которое в этом случае называют индуцированным ( вынужденным за счет воздействия внешнего электромагнитного поля) излучением. Соответственно переход вверх на более высокий энергетический уровень сопровождается индуцированным поглощением кванта энергии. [41]
Для разрешенных энергетических переходов внутри ядра применимо общее квантовое уравнение А. Величина v находится в пределах диапазона радиочастот электромагнитного спектра. Вероятность осуществления перехода пропорциональна степени заселенности низшего энергетического уровня, и поскольку эта величина увеличивается с ростом АЕ, а АЕ пропорционально Н, то для того чтобы наблюдать максимально возможное поглощение, следует применять очень сильные поля. Поэтому переходы протонов можно вызвать, изменяя либо частоту электромагнитного излучения, либо общую силу поля до величины, соответствующей этому уравнению. На практике поле изменяют в пределах, включающих эту величину, при постоянной величине v, при которой происходит это поглощение. Поэтому для того, чтобы снять ЯМР-спектр, образец вещества подвергают облучению радиочастотным излучателем, тем самым прилагая к этому веществу осциллирующее магнитное поле. Переходы между энергетическими уровнями вызываются эффектом резонанса, который наступает, как только частота осциллирующего поля становится равной частоте перехода. По мере того как накладываемое поле ( которое определяет величину Н) медленно и постоянно увеличивается, реализуется такое равенство для частоты перехода каждого протона в веществе. [42]
Для разрешенных энергетических переходов внутри ядра применимо общее квантовое уравнение АЕ hv, и поглощение энергии вызывает переход протона с низшего уровня на высший. Величина v находится в пределах диапазона радиочастот электромагнитного спектра. Вероятность осуществления перехода пропорциональна степени заселенности низшего энергетического уровня, и поскольку эта величина увеличивается с ростом АЕ, а АЕ пропорционально Н, то для того чтобы наблюдать максимально возможное поглощение, следует применять очень сильные поля. Более того, поскольку hv hyH / 2n, то v пропорционально Н, Поэтому переходы протонов можно вызвать, изменяя либо частоту электромагнитного излучения, либо общую силу поля до величины, соответствующей этому уравнению. На практике поле изменяют в пределах, включающих эту величину, при постоянной величине v, при которой происходит это поглощение. Поэтому для того, чтобы снять ЯМР-спектр, образец вещества подвергают облучению радиочастотным излучателем, тем самым прилагая к этому веществу осциллирующее магнитное поле. Переходы между энергетическими уровнями вызываются эффектом резонанса, который наступает, как только частота осциллирующего поля становится равной частоте перехода. По мере того как накладываемое поле ( которое определяет величину Н) медленно и постоянно увеличивается, реализуется такое равенство для частоты перехода каждого протона в веществе. [43]
При вычислении электронной суммы по состояниям следует учесть, что электронные энергетические уровни далеко отстоят друг от друга. Поэтому электронная сумма приближенно равна лишь одному первому члену, которому соответствует минимальное значение энергии. Остальные члены этой суммы имеют высокие значения отрицательного показателя степени и могут быть отброшены. Для простоты, энергия низшего энергетического уровня принимается за нуль. [44]
Для полноты изложения в заключение кратко обсудим два остальных случая: сильного и слабого полей. В соответствии со сказанным в § 1.2 сильное кристаллическое поле характеризуется неравенством Ак. Ясно, что в этом случае нельзя использовать для расчета метод теории возмущений, как в случае промежуточного поля, поскольку возмущение, обусловленное кристаллическим полем, по крайней мере сравнимо по величине с корреляционными силами. По той же причине можно ожидать, что в сильном кристаллическом поле положение низшего энергетического уровня не определяется принципом максимальной мультнплетности ( первым правилом Хунда) и что здесь связь Рассела - Саундерса и векторная модель атома теряют смысл. [45]