Низкий уровень - возбуждение
Cтраница 1
Низкий уровень возбуждения является одной из причин низкой производительности при выполнении задач бдительности. Таким образом, производительность может быть повышена ситуационными факторами, которые имеют тенденцию повышать возбуждение, и понижена посредством всех мер, которые снижают уровень возбуждения. Данное обобщение в значительной степени верно для всех видов общей производительности в задачах бдительности, хотя ухудшение возбудимости отсутствует или менее заметно в случаях, когда на наблюдателя оказываются дополнительные воздействия разного вида. [1]
 |
Схема переходов в случае собственной фотопроводимости и рекомбинации через ловуйжи. [2] |
Мы рассмотрим ниже случай низкого уровня возбуждения, когда микроскопическое время жизни равно времени жизни равновесных носителей травн. [3]
Когда плотность элементарных частиц невелика ( низкий уровень возбуждения полей) и их взаимодействие пренебрежимо мало, систему элементарных частиц можно рассматривать как идеальный газ. В этом случае частицы одновременно являются и структурными единицами вещества, и структурными единицами движения. [4]
 |
Шкала возбуждения. [5] |
Когда мы спим, у нас отмечается низкий уровень возбуждения. Организм пребывает в экономичном режиме, используя минимум энергии для поддержания функционирования основных систем; в этот период происходит восстановление сил. Далее наступает состояние настороженности, когда мы начинаем осознавать все окружающие условия, стимулы, обретаем способность смотреть по сторонам ( сканировать горизонт), стараясь заметить возможные угрозы, но вместе с тем продолжаем действовать на комфортном уровне выполнения некоторой хорошо знакомой задачи, словно ведем автомобиль, подсознательно управляя этим действием. Это состояние известно под названием бдительность. [6]
Наша задача заключается в вычислении этих времен, а) Низкий уровень возбуждения. [7]
 |
Изгиб круглого волновода. [8] |
Основным требованием, предъявляемым к волноводному изгибу круглого волновода, является низкий уровень возбуждения высших типов волн. [9]
Проведенное выше рассмотрение фотоэлектрических свойств структур СЭ базировалось на предположении о том, что реализуется условие низкого уровня возбуждения. Это условие следует понимать как отражение того факта, что в каждом элементарном объеме полупроводникового материала СЭ количество отогенерированных носителей тока существенно меньше количества основных носителей, образованных благодаря введению легирующих примесей. Таким образом, условие низкого уровня возбуждения может выполняться для СЭ, преобразующих сильноконцентрированное солнечное излучение, но изготовленных на основе полупроводниковых материалов с высоким уровнем легирования. И, наоборот, в слаболегированных структурах СЭ эффекты высокого уровня возбуждения могут возникать при фотоэлектрическом преобразовании относительно слабых световых потоков. [10]
Найдем теперь время жизни по отношению к ударной рекомбинации и определим характер кривых релаксации для крайних случаев высокого и низкого уровня возбуждения. [11]
 |
Образующая волноводиого перехода круглого поперечного се-чеиия. [12] |
Другой тип плавных переходов, предназначенных для соединения поляризационных селекторных фильтров с круглым волноводом, включаемых в нижней части круглого полноводного тракта, должен также обеспечить высокое согласование и, кроме того, должен иметь низкий уровень возбуждения паразитных высших типов волн. [13]
Носители могут быть как основные, так и созданные светом. В условиях низкого уровня возбуждения в переносе заряда участвуют основные носители, а проводимость пропорциональна концентрации легирующей примеси и подвижности основных носителей тока. [15]
Страницы: 1 2