Cтраница 2
Несмотря на уменьшение напряжения остаточного заряда, активные потери в проводах и потери на корону, образующиеся при включении длинной линии коммутационные перенапряжения могут все же превышать уровень, допустимый для изоляции в данной энергосистеме. Обычно эти уровни лежат в диапазоне от 2 до 2 5 амплитуды фазного напряжения системы. [16]
Энергия электронов на поверхностных уровнях полупроводника может сильно зависеть от потенциального барьера на поверхности, наличие которого обусловливает электростатическую разность потенциалов между поверхностью и объемом. Впервые представление о существовании такого потенциального барьера ( иногда говорят о барьерном слое или о слое объемного заряда) ввел Бардин [15] в 1947 г. для объяснения наблюдавшихся поверхностных свойств германия и кремния. Электроны захватываются акцепторами, образованными адсорбированным кислородом, ибо, как и указано на рисунке, эти уровни лежат ниже уровней междуузельного цинка. В результате перехода электронов от междуузельного цинка вблизи поверхности к кислороду, адсорбированному на поверхности, остаются в объеме ионы цинка с положительным зарядом, компенсированные отрицательным поверхностным зарядом адсорбированных ионов кислорода. Электрическое поле в области объемного заряда создает падение напряжения между объемом и поверхностными ловушками, так что потенциальная энергия электрона увеличивается при приближении его к поверхности. Таким образом, все разрешенные уровни вблизи поверхности, в том числе и энергии самих поверхностных состояний, повышаются, по мере того как поверхность заряжается отрицательно. [17]
Явное стремление к образованию прочных комплексов наблюдается у многих переходных элементов ( см. стр. У ионов переходных элементов существуют неполностью занятые d - уровни. Электроны на этих неполностью занятых d - уровнях очень часто частично или даже полностью не спарены. Например, ион Cr34 содержит три, ион Мп2 пять, ион Fe2 ( помимо двух спаренных) четыре неспаренных d - электрона. Под влиянием окружающих лигандов электроны таких ионов могут спариваться, причем освобождается большее или меньшее число первоначально занятых d - уровней. Так как эти d - уровни лежат лишь немного ниже s - и р-уровней следующих оболочек, из этих d -, p - и s - уровней может происходить образование новых общих уровней, способных заполняться электронами лигандов. Расход энергии, затрачиваемой на спаривание первоначально неспаренных электронов, покрывается за счет энергии резонанса при гибридизации уровней. Электроны, обусловливающие атомную связь, принадлежат лигандам. Центральный атом представляет для этих электронов лишь спои вакантные энергетические уровни или образовавшиеся из них промежуточные гибридизованные уровни. Например, в ионе Со3 имеется два спаренных и четыре неспаренных Sd-электрона. При их спаривании освобождаются два 3d - ypOBim, образующих вместе с 4х - уровпом и тремя 4р - уровнями промежуточный уровень, на котором могут разместиться 2X6 12 электронов. [18]
Явное стремление к образованию прочных комплексов наблюдается у многих переходных элементов ( см. стр. Как указывает Полинг, это можно обосновать квантово-механически. У ионов переходных элементов существуют неполностью занятые d - уровни. Электроны на этих неполностью занятых d - уровнях очень часто частично или даже полностью не спарены. Например, ион Сг3 содержит три, ион Мп2 пять, ион Fe2 ( помимо двух спаренных) четыре неспаренных d - электрона. Под влиянием окружающих лигандов электроны таких ионов могут спариваться, причем освобождается большее или меньшее число-первоначально занятых d - уровней. Так как эти d - уровни лежат лишь немного ниже s - и / - уровней следующих оболочек, из этих d - p - и - уровней может происходить образование новых общих уровней, способных заполняться электронами лигандов. Расход энергии, затрачиваемый на спаривание первоначально неспаренных электронов, покрывается за счет энергии резонанса при гибридизации уровней. Электроны, обусловливающие атомную связь, принадлежат лиеандам. Центральный атом представляет для этих электронов лишь свои вакантные энергетические уровни или образовавшиеся из них промежуточные, гибридизованные уровни. Например, в ионе Со3 имеется два спаренных и четыре неспаренных З - электрона. При их спаривании освобождаются два Зй-уровня, образующих вместе с4 - уровнем и тремя 4 / - уровнями промежуточный уровень, на котором могут разместиться 2 х 612 электронов. [19]