Уровни - энергия - электрон
Cтраница 1
Уровни энергий электронов в металлах Met и Ме2, контактирующих между собой, одинаковы, и перенос электрона от одного металла к другому не требует затраты работы. [1]
Уровни энергии электрона не могут быть произвольными, так как. При переходе с высшего дозволенного уровня на низший ( ближе к ядру) электрон освобождается от избытка энергии А. В случае поглощения электроном энергии происходит обратный процесс - атом возбуждается. [2]
Знание уровней энергии электронов (2.24) позволяет вычислить его магнитный момент и определить магнитную восприимчивость. [3]
Чтобы определить уровни энергии электрона в слое пространственного заряда в полупроводнике, сделаем сначала все возможные упрощающие предположения, не искажающие физической сущности рассматриваемой системы, а затем оценим их влияние на получаемые результаты. Согласно простейшему приближению Хартри, каждый электрон движется в поле среднего потенциала, создаваемого всеми электронами; многочастичными взаимодействиями при этом пренебрегают. Кроме того, используется приближение эффективной массы, в рамках которого некоторым образом учитывается микроскопическая структура полупроводника. Предполагается также, что потенциальный барьер на границе раздела полупроводник - диэлектрик достаточно велик, поэтому в ее плоскости, выбираемой при г 0, огибающую волновую функцию электрона можно считать равной нулю. Это приближение, хотя и не использовалось в первоначальном расчете Дьюка [441], лежит в основе большинства теоретических работ. [4]
Еп - уровни энергии электрона, dOf - элемент телесного угла, в к-рый излучается фотон. [5]
Обсудим вырождение уровней энергии электрона в центральном поле при учете спина. В кулоновом поле имеется дополнительное вырождение по Z, теперь к нему следует добавить вырождение по проекции спина. [6]
Такое расщепление уровней энергии электрона в магнитном поле делает возможным поглощение энергии Е электроном в нижнем энергетическом состоянии с переводом его в верхнее состояние. [7]
Такое расщепление уровней энергии электрона в магнитном поле делает возможным поглощение энергии Е электроном в нижнем энергетическом состоянии с переводом его в верхнее состояние. Это совершается при облучении свободного радикала, находящегося в постоянном магнитном поле / /, коротковолновым излучением hv Е g H. Именно при длине волны этого излучения, определяемой данным соотношением, наступает резонансное поглощение. [8]
Горизонтальными линиями показаны уровни энергии W электрона. [9]
Такова кратность вырождения уровней энергии электрона в атоме водорода, так как все эти состояния имеют одну и ту же энергию. [10]
Еще больше разность уровней энергии электронов молекул Д.э. Она колеблется в весьма широких пределах - от значений около НО кДж / моль, соответствующих излучениям с длиной волны Я 1100 нм ( v 9 - 103 см-1), что характерно для ближней ИК-области спектра, до 4 - Ю3 - 4 - Ю6 кДж / моль, соответст - ующих излучениям с длинами волн порядка 30 - 0 03 нм. Я 760 - 400 нм, 2 5 - 104 - 1 3 - 104 см -), поглощение которых сопровождается возникновением окраски. [11]
 |
Схематическая зависимость энергетичес ких подзон квантовой ямы с бесконечным барьером от волнового вектора в плоскости ямы k. [12] |
На рис. 9.5 показаны уровни энергии электронов в КЯ с бесконечными барьерами. Эти энергетические зоны, квантованные в двух измерениях, называют подзонами чтобы отличать их от электронных энергетических зон соответствующего объемного кристалла А. [13]
На них горизонтальными линиями изображаются уровни энергии электронов. [14]
 |
Потенциальная яма для электрона вблизи протона. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5