Cтраница 1
Таммовские уровни должны существовать на чистой поверхности. Однако в реальных условиях на поверхности почти всегда присутствует окисная пленка или значительное число адсорбированных атомов и ионов посторонних веществ. Они также создают уровни, расположенные в запрещенной зоне кристалла вблизи поверхности. [1]
Влияние таммовских уровней учитывалось лишь в работе [4], но в этой работе не конкретизировался потенциал дефекта и не учитывалось искажение волновых функций объемных электронов, что проделано в настоящей работе. Это позволяет для определения Тс перейти от уравнений Горькова к уравнению Гинзбурга - Ландау. В нашей работе также используется это предположение. [2]
Плотность таммовских уровней равна числу атомов на 1 см2 поверхности. Так как параметры кристаллической решетки составляют величину примерно равную 310 - 8 см, то плотность таммовских уровней составляет около 1015 см-2. Роль этих уровней будет велика, когда их количество станет сравнимо с количеством объемных уровней. [3]
По-видимому, таммовские уровни имеются на чистой поверхности германия и кремния. Однако в обычных условиях, когда поверхность кристаллов покрыта тонким слоем окиси, таммовских уровней нет, но всегда имеются различные уровни, связанные с примесями или дефектами. [4]
Из-за взаимодействия друг с другом таммовские уровни размываются в поверхностную зону, как и уровни в объеме. Электроны в этой зоне могут двигаться только вдоль поверхности. [5]
Результаты экспериментальных работ, проведенных с очень чистыми поверхностями германия и кремния [14], подтверждают реальность существования таммовских уровней и их роль в поверхностных процессах. [6]
Читателя, интересующегося подробным обсуждением свойств таммовских уровней, в противоположность вопросам ионного заряда, которые обсуждались Браттэном и Бардином, мы отсылаем к этой работе. [7]
По-видимому, таммовские уровни имеются на чистой поверхности германия и кремния. Однако в обычных условиях, когда поверхность кристаллов покрыта тонким слоем окиси, таммовских уровней нет, но всегда имеются различные уровни, связанные с примесями или дефектами. [8]
Плотность таммовских уровней равна числу атомов на 1 см2 поверхности. Так как параметры кристаллической решетки составляют величину примерно равную 310 - 8 см, то плотность таммовских уровней составляет около 1015 см-2. Роль этих уровней будет велика, когда их количество станет сравнимо с количеством объемных уровней. [9]
Идеальную поверхность полупроводника можно представить как моноатомный слой, в котором атомы расположены в таком же порядке, как и внутри кристалла. Ранее говорилось о том, что поверхность является своеобразным дефектом, поскольку на поверхности происходит обрыв межатомных связей. Концентрация таммовских уровней определяется концентрацией поверхностных атомов. У поверхности кристалла нарушается периодичность кристаллической решетки, что также приводит к образованию поверхностных уровней, называемых уровнями Шокли. [10]