Разрешенные энергетические уровни

Cтраница 2

Следующий важный шаг состоит в том, чтобы показать, каким образом, зная этк разрешенные энергетические уровни, можно объяснить поведение вещества в массе. В Данной главе мы установим связь между квантовой теорией и термодинамикой. [16]

Следующий важный шаг состоит в том, чтобы показать, каким образом, зная эти разрешенные энергетические уровни, можно объяснить поведение вещества в массе. В данной главе мы установим связь между квантовой теорией и термодинамикой. [17]

Атомы различных элементов отличаются лишь тем, что с увеличением заряда ядра все большее число разрешенных энергетических уровней ( оболочек) оказывается занятым электронами. При этом в первую очередь заполняются оболочки, расположенные вблизи ядра атома. Для каждой оболочки существует вполне определенное максимально возможное число заполняющих ее электронов. [18]

Дипольные моменты некоторых гетероциклических соединений, 29, зо-з 2, 37. [19]

Как уже было отмечено, в результате расчетов электронных свойств молекулы методом молекулярных орбиталей получается набор разрешенных энергетических уровней, на которых могут располагаться я-электроны. Общая энергия я-электронов в соответствии с этим равна удвоенной сумме энергий занятых уровней. [20]

Таким образом, в твердом теле появляется система разрешенных энергетических зон, каждая из которых состоит из близко расположенных разрешенных энергетических уровней. [21]

В той степени, в какой это касается электрических свойств, такое влияние прежде всего приводит к образованию разрешенных энергетических уровней между валентной зоной и зоной проводимости. В идеальном кристалле этот энергетический интервал для электронов запрещен. Однако в кристалле с дефектами решетки в запрещенном интервале энергий существуют разрешенные энергетические состояния. В отличие от энергетических зон электроны или дырки в этих состояниях не свободны: они связаны с дефектом. [22]

Скачки означали, что атом излучает свет целыми порциями - едиными и неделимыми, ибо задержаться где-то меж двух разрешенных энергетических уровней электрон не может. Схема Бора показала, как рождаются планковские кванты. Величина излученного кванта зависит от размашистости скачка, совершенного электроном. [23]

В кристалле, содержащем большое количество близко расположенных атомов, линии спектра, эквивалентные у отдельных атомов, образуют энергетические зоны, называемые разрешенными, которые состоят из большого числа разрешенных энергетических уровней, равного числу атомов кристалла. Так как расстояния между энергетическими уровнями одной зоны невелики ( 10 - 17 - - 10 - 22 эВ), то на практике ее считают сплошной. [24]

Энергетические уровни валентных электронов при расщеплении образуют валентную зону. Разрешенные энергетические уровни, свободные от электронов в невозбужденном состоянии атома, расщепляясь, образуют одну или несколько свободных зон. Нижнюю из свободных зон называют зоной проводимости. [25]

Энергетическая диграмма и распределение электронов по энергиям, поясняющие термоэлектронную эмиссию металла ( а и полупроводника ( б. [26]

Как в случае эмиссии в вакуум, так и при образовании контакта двух тел существенную роль играют поверхностные состояния электронов. Эти состояния образуют вблизи поверхности твердого тела разрешенные энергетические уровни, которых нет в объеме материала. Заполнение этих уровней способствует образованию объемного заряда вблизи поверхности, что существенно влияет как на эмиссионные свойства, так и на свойства контакта двух тел. [27]

Согласно статистике электроны с различной вероятностью могут занимать любые разрешенные энергетические уровни, в том числе и локальные уровни, образуемые атомами примеси. В легированном полупроводнике каждый электрон находится в связанном состоянии вблизи примесного центра определенное время, длительность которого зависит как от уровня легирования, так и от температуры. Среднее число электронов, связанных в данный момент на локальных энергетических уровнях, определяет концентрацию электрически неактивных атомов примеси. [28]

Плоскостная модель кристаллической решетки кремния. а. [29]

Проводимость металлов обусловлена наличием свободных электронов проводимости, слабо связанных с атомами. В соответствии с представлениями зонной теории непрерывная последовательность свободных разрешенных энергетических уровней непосредственно примыкает к заполненной части зоны энергий валентных электронов и переход электронов из валентных в свободные может происходить при сколь угодно малых затратах энергии. [30]

Страницы: 1 2 3 4