Электронные уровни - энергия
Cтраница 2
Реакции с согласованным смещением электронов протекают в соответствии с правилом симметрии электронных уровней энергии в молекулах исходных веществ и продуктов реакции. Это правило формулируется следующим образом: реакция разрешена, если симметрия образовавшихся связей совпадает с симметрией разорванных связей. [16]
Эффекты Фарадея в виде ДМОВ очень чувствительны к наличию в молекуле расщепления электронных уровней энергии, хотя само расщепление невелико, особенно по сравнению с шириной полосы поглощения. Сдвиг же кривых nr ( ft)) и / ( со) и разность этих кривых простираются на значительный интервал частот. [17]
 |
Энергии стабилизации кристаллическим полем ( ЭС КП для d - систем. [18] |
Некоторые из них связаны с наличием у центрального иона ( молекулы) вырожденных электронных уровней энергии. Примером могут служить комплексы иона Си2 с шестью одинаковыми лигандами. На высшей орбитали з -, находится теперь один электрон, а на более низкой d: - два электрона вместо трех электронов на высшем уровне ( ег) 3 в октаэдре. [19]
На рисунке вертикальные линии - оси энергий орбиталей; примыкающие к ним горизонтальные черточки - электронные уровни энергии атома; более длинные горизонтальные черточки между осями - энергетические электронные уровни молекулы, соответствующие образовавшимся молекулярным орбиталям; тонкие линии связывают АО с образовавшимися из них МО. [20]
Как и в атомах ( см. выше), спин-орбитальная связь может приводить к расщеплению электронных уровней энергии молекул. Например, у парамагнитных молекул ( NO, O2) при высоком разрешении наблюдается слабое расщепление линий фотоэлектронного спектра ( - 1 эВ), обусловленное спин-орбитальной связью неспаренного электрона. Вообще эта связь для двухатомных и линейных многоатомных молекул описывается векторной схемой электронных моментов - орбитального, спинового и полного. [21]
Однако атомные и молекулярные ионы, так же как и нейтральные атомы и молекулы, имеют много возможных электронных уровней энергии. В результате отрыва электрона от атома или молекулы ион может остаться в наинизшем основном состоянии или в одном из своих возбужденных состояний. Несмотря на то что термин потенциал ионизации обычно обозначает энергию, необходимую для отрыва электрона от атома или молекулы, находящихся в основном состоянии, с образованием иона в основном состоянии, можно ввести более общее определение &-го потенциала ионизации для случая, когда ион образуется в своем & - м электронном состоянии. [22]
Однако атомные и молекулярные ионы, так же как и нейтральные атомы и молекулы, имеют много возможных электронных уровней энергии. В результате отрыва электрона от атома или молекулы ион может остаться в наинизшем основном состоянии или в одном из своих возбужденных состояний. Несмотря на то что термин потенциал ионизации обычно обозначает энергию, необходимую для отрыва электрона от атома или молекулы, находящихся в основном состоянии, с образованием иона в основном состоянии, можно ввести более общее определение &-го потенциала ионизации для случая, когда ион образуется в своем k - м электронном состоянии. [23]
Подобно тому как мы объясняли наличие резких линий поглощения в видимой и ультрафиолетовой областях спектра возможностью существования только вполне определенных электронных уровней энергии, точно так же в данном случае следует сделать вывод, что наличие резких линий поглощения в инфракрасной области спектра указывает на возможность только строго определенных изменений энергии в этой энергетической области. Но действительно ли инфракрасное поглощение обусловлено изменениями вращательной и колебательной энергии молекул. [24]
Принципиальное значение этого вывода заключается в том, что для интерпретации положений максимумов полос электронных спектров поглощения достаточно пользоваться схемой электронных уровней энергии, полученных, например, по теории кристаллического поля или в методе МО ЛКАО при фиксированных в основном состоянии ядрах без учета динамики последних. В действительности такая картина уровней, как видно из вышеизложенного, не отражает предполагаемых в ней чисто электронных возбуждений. [26]
УФ диапазонах менее специфично, чем в ИК области, тем не менее благодаря большой интенсивности излучения оно используется для возбуждения молекул в высоколежащие электронные уровни энергии и ионизации, к-рая происходит в результате поглощения неск. Это позволяет отказаться от использования коротковолнового излучения обычных источников, заменив его сравнительно длинноволновым лазерным излучением. [27]
Специфические свойства ядра ( конечная масса, размеры, спин), отличающие его от неподвижного точечного центра кулонова поля, оказывают определенное влияние на электронные уровни энергии атома. [28]
Специфические свойства ядра ( конечная масса, размеры, спин), отличающие его от неподвижного точечного центра ку-лонова поля, оказывают определенное влияние на электронные уровни энергии атома. [29]
К счастью, задача значительно упрощается, если учесть ортогональность детерминантных собственных функций по спину, а также ограничиться уточнением значений лишь для определенной небольшой группы электронных уровней энергии. [30]
Страницы: 1 2 3 4