Донорные акцепторные уровни
Cтраница 1
Донорные и акцепторные уровни располагаются на небольшом расстоянии от своих зон. Поэтому их называют мелкими уровнями. Уровни, располагающиеся вблизи энергетических зон и энергично обменивающиеся с этими зонами носителями заряда, называют также уровнями прилипания. [2]
Относительно глубоких донорных и акцепторных уровней на рис. 4.24 можно предположить, что среди создающих их кристаллических дефектов нет дефектов, образующих парные заряды ( электроны и дырки), например, кислородных дефектов и Si в междуузлиях решетки. Правда, полностью объяснить распределение, приведенное на рис. 4.24, на основе модели возникновения уровней за счет кулоновского потенциала ( Гетцбер-гер, 1968 г.) невозможно. Сугано ( 1980 г.) произвели теоретические расчеты для случая идеальной решетки Si - Si02 с несколько удлиненными по сравнению с обычными связями Si-О и Si-Si, используя приближение жестких связей, и вычислили уровни в верхней и нижней части запрещенной зоны и уровни Si -, образованные вблизи середины запрещенной зоны. [3]
 |
Зависимость электропровод - [ IMAGE ] Зависимость электропроводности а - 1п2Те3 от температуры ности, коэффициента Холла и эффективной подвижности в 1п2Тез от температуры. [4] |
Образование донорных и акцепторных уровней невозможно, если величина добавочного электрического поля, возникающего в решетке дефектного кристалла, превышает энергию активации примесных центров. Ввиду аномально большой концентрации собственных дефектов в соединениях A Bj1 следует учитывать значительное превышение дополнительного электрического поля над энергией диссоциации многих примесных атомов. [5]
Так как донорные и акцепторные уровни рассматриваемых примесей расположены очень близко к краям запрещенной зоны, то при комнатной температуре носители тока не захватываются донорами или акцепторами, а остаются свободными. [6]
Характер влияния донорных и акцепторных уровней на валентную зону или зону проводимости зависит от энергии Ферми ( обычно называемой уровнем Ферми), положения энергетического уровня и температуры. Энергия Ферми в свою очередь зависит от концентрации носителей тока. [7]
В вырожденных полупроводниках донорные и акцепторные уровни расщепляются в зоны, так как расстояния между примесными атомами невелики. Донорные уровни находятся в свободной зоне, а акцепторные - в валентной. Уровень Ферми лежит в разрешенной зоне ( выше уровня дна свободной зоны Wca и ниже уровня потолка валентной зоны Wen), поэтому контактная разность потенциалов высока - энергия электрона близка к ширине запрещенной зоны. [8]
В вырожденных полупроводниках донорные и акцепторные уровни расщепляются в зоны, так как расстояния между примесными атомами невелики. Донорные уровни находятся в свободной зоне, а акцепторные - в валентной. Уровень Ферми лежит в разрешенной зоне выше уровня дна свободной зоны и ниже уровня потолка валентной зоны), поэтому контактная разность потенциалов высока - энергия электрона близка к ширине запрещенной зоны. [9]
Имеет место компенсация донорных и акцепторных уровней, связанных с и - вакансиями и взаимное исключение уровней с и - зарядами в случае испарения этих вакансий при отжиге. [10]
Имеет место компенсация донорных и акцепторных уровней, связанных с и - вакансиями и взаимное исключение уровней с и - зарядами в случае испарения этих вакансий при отжиге. [11]
Будем полагать, что донорные и акцепторные уровни ионизированы полностью и слой dn покинули практически все электроны, а слой dp - все дырки. [12]
Рассмотрим представление о вакансионном возникновении донорных и акцепторных уровней на примере образования сульфида свинца переменного состава. Халь-когениды свинца интересны тем, что используются в виде тонких пленок в качестве фотосопротивлений, очень чувствительных к инфракрасному излучению. Все три халь-когенида имеют структуру тиьч1 NaCl п являются двусторонними фазами вычитания переменного состава. Бреб-рик и Сканлон изменяли состав кристаллов сульфида свинца, нагревая их до 20 ч до 500 С при разном давлении паров серы, затем быстро охлаждали их до комнатной температуры. На рис. 75 приведены результаты исследования удельного сопротивления полученных образцов, измеренного при комнатной температуре. [13]
Отсюда можно сделать предположение, что донорные и акцепторные уровни находятся либо вблизи краев соответствующих зон, либо в самих зонах. Последнее более вероятно, если принять во внимание отсутствие вымерзания. Типичные кривые коэффициента Холла приведены на фиг. В халькогенидах свинца концентрация свободных носителей может меняться от Ю20 см-3 для n - типа до Ю20 см-3 для р-типа соответственно доле сверхстехиометрических свинца или халько-гена ( в пределах 1 ат. [14]
D - - и D, которые образуют донорные и акцепторные уровни. Нормальное состояние дефекта - нейтральное Д, его ионизация переводит D в состояние D, при этом увеличивается поляризация элементарной ячейки р, кристалла. [15]
Страницы: 1 2 3