Экситонные уровни
Cтраница 1
 |
Экситонный спрктр пуглущошш Си2О ( пластинки толщиной ( JO мкм при 4 2 К. Видны члены серии, начиная е л - &. [1] |
Экситонные уровни и зоны. Возбужденное экситон-ное состояние, возникающее в одном месте кристаллич. [2]
Следовательно, экситонные уровни в двухчастичной энергетической схеме на рисунке 6.20 б могут быть представлены параболами. Позднее мы покажем, что волновая функция экситонного состояния с волновым вектором центра масс экситона К является линейной комбинацией многих волновых функций электрон-дырочных пар с волновыми векторами kG и feh. Таким образом, одночастичная схема на рис. 6.20 а является неправильной даже для состояний экситона в континууме. [3]
Спектроскопия молекулярных кристаллов и теория экситонных уровней энергии представляют быстро развивающиеся области знаний, наиболее исследованные разделы которых были здесь изложены. [4]
Строго говоря, мы не имеем права изображать экситонные уровни энергии на одноэлектронных диаграммах, поскольку речь идет о системе двух взаимодействующих между собой частиц-электрона и дырки. [5]
Когда поверхность кристалла загрязнена либо же интенсивней захват на поверхностные экситонные уровни ( см. гл. [6]
Эти факты согласуются с гипотезой, согласно которой р-полоса обусловлена переходом электронов на возмущенные экситонные уровни в непосредственной близости от F-центров, в то время как а-полоса связана с образованием экситонов вблизи анионной вакансии. Ионы, окружающие анионную вакансию, слегка сдвинуты к новым равновесным положениям, в результате чего первые возбужденные уровни анионов ( уровни экситонов) в окрестности вакансии будут возмущены. [7]
Как уже отмечалось, помимо непрерывного спектра поглощения, обусловленного разрешенными между зонными переходами, может иметь место и поглощение при переходах на дискретные экситонные уровни. Хотя каждому связанному состоянию экси-тона соответствует целая энергетическая зона), в процессе поглощения светового кванта при прямом переходе из каждой зоны может возбудиться только один дискретный уровень, отвечающий нулевому волновому вектору центра инерции зкситона. Иначе говоря, эти линии лежат ниже порога, за которым начинается непрерывный1 спектр поглощения для прямых переходов. Таким образом, коэффициент поглощения с переходом на экситонные уровни убывает как п - 3; по мере увеличения числа п этот спектр поглощения в конце концов сливается с непрерывным спектром, описанным выше. [8]
 |
Схема энергетических уровней ( а и спектр поглощения кристалла. [9] |
Теперь экситонные уровни будут размыты в полосы. [10]
Согласно зонной теории твердого тела, в чистых кристаллах в запрещенной зоне не должно быть никаких уровней. Поэтому изображение экситонных уровней противоречит зонной теории. Это не означает, что полученный энергетический спектр экситона ошибочен, как раз наоборот. Теория двух частиц при их движении в кристалле - это приближение к действительности более высокого порядка, чем зонная теория, в которой фигурирует только один электрон, движущийся в самосогласованном поле. [11]
Все еще слышатся возражения против поляронных уровней и их роли в электрическом токе. Только начинает вскрываться значение экситонных уровней. Только намечается проблема проводимости системы примесных уровней при таких концентрациях, когда волновые функции примесных электронов перекрываются. Что же касается подвижности, то удовлетворительное согласие имеется только для чисто валентных соединений. [12]
Все еще слышатся возражения против поляронных уровней и их роли в электрическом токе. Только начинает вскрываться значение экситонных уровней. Только намечается проблема проводимости системы примесных уровней при таких концентрациях, когда волновые функции примесных электронов перекрываются. Что же касается подвижности, то удовлетворительное согласие имеется только для чисто валентных соединений. [13]
Несколько максимумов наблюдается в спектральной характеристике светодиода на основе фосфида галлия с примесью кадмия. Соединения атомов кадмия и кислорода образуют экситонные уровни ( см. § 14 - 2), располагающиеся вблизи дна зоны проводимости. В спектре этого материала наблюдается также максимум в области инфракрасного излучения ( К та 0 9 мкм), соответствующий межзонным переходам. [14]
В окрашенной соли все анионные вакансии превращены в F-центры. Когда вакансия захватывает электрон, то возмущающее действие ее на соседние экситонные уровни уменьшается, но все же не может быть полностью устранено; поэтому в окрашенных солях появляется другой пик ( р-полоса), лежащий между a - полосой и основной экси-тонной полосой поглощения решетки. Облучение в F-полосе вызывает уменьшение числа F-центров и появление анионных вакансий и F - центров. [15]
Страницы: 1 2