Усиление - колебание
Cтраница 5
Геометрическое положение слоев интерференционного усиления колебаний определяется равенством разности хода волн четному числу полуволн, а положение слоев интерференционного ослабления колебаний определяется равенством разности хода волн нечетному числу полуволн. [61]
В последние годы для усиления колебаний в радиоприемных устройствах применяются полевые транзисторы, которые отличаются от обычных транзисторов большим входным сопротивлением постоянному току ( 106 Ом у германиевых, 109 Ом у кремниевых транзисторов, 1015 Ом - у полевых транзисторов с изолированным затвором), высокой радиационной устойчивостью и низким уровнем шумов. [62]
 |
Зависимость амплитуды вынужденных колебаний от вынуждающей частоты. [63] |
Явление резонанса используется для усиления колебаний, например электрических. Однако при конструировании различных машин и сооружений необходимо учитывать даже самую небольшую периодическую силу с тем, чтобы предотвратить нежелательные последствия резонанса. [64]
Узкополосные усилители предназначены для усиления колебаний одной частоты или нескольких близких друг к другу частот. Их основным преимуществом является низкий уровень помех, которые, как правило, отфильтровываются фильтрами, входящими в эти усилители и ограничивающими их полосу пропускания. Наиболее часто роль таких фильтров играют колебательные контуры, настроенные в резонанс на частоту усиливаемых колебаний. Поэтому такие усилители часто называют резонансными. [65]
Значительное ( критическое) усиление синхронных колебаний наблюдается в диапазоне угловых скоростей вращения со от со 0 85 Q до о 1 2 и. При отсутствии демпферов и лишь небольшом демпфирующем действии смазочного слоя рабочие скорости ротора следует назначать вне этой зоны. [66]
Кроме ТД, для усиления колебаний свч все шире используются транзисторы и параметрические диоды. Для повышения рабочей частоты транзисторов постоянно изыскиваются способы уменьшения времени пролета носителей заряда между эмиттером и коллектором, уменьшения емкости коллекторного перехода и выходного сопротивления транзистора. При этом, как правило, необходимо уменьшать габариты транзисторного кристалла и одновременно улучшать тепло-отвод. Специальные корпусы для свч транзисторов позволяют значительно уменьшить паразитные реактивности токовводов. Наилучшие результаты достигаются при монтаже транзисторного кристалла непосредственно в полосковую линию: Для уменьшения времени пролета применяют материалы с высокой подвижностью носителей зарядов, например, арсенид галлия. [67]
Параметрические диоды применяются для усиления свч колебаний. В них используется зависимость величины емкости диода от приложенного напряжения. [68]
Конструкция резонатора позволяет осуществить лавинообразное усиление колебаний частиц активного вещества и выделить только те, которые создают направленное когерентное излучение, так как испускаются многократно отраженные волны строго постоянной частоты, большой мощности и с плоскими передними фронтами. [69]
Страницы: 1 2 3 4 5