Усиление - рассеяние
Cтраница 1
Усиление рассеяния при резонансе объясняется тем, что, как уже говорилось, рассеянное поле образуется излучением ультразвука частицами, совершающими вынужденные колебания в поле первичной волны; амплитуда же вынужденных колебаний в резонансе резко возрастает: в число раз, равное величине добротности колебательной системы ( см. гл. VIII), соответственно возрастает и интенсивность рассеяния. Для пульсационных колебаний воздушного пузырька в воде, например, это приводит к увеличению эффективного сечения рассеяния примерно на 12 порядков. Отсюда и сильное рассеяние ультразвука при возникновении в жидкости кавитации, когда, как мы видели, всегда находятся или образуются пузырьки резонансных размеров. Резонансное рассеяние успешно используется в гидроакустической эхо-локации рыбных косяков: роль резонансных пузырьков в этом случае играют плавательные пузыри рыб. Резкое увеличение рассеяния при резонансе ( в том числе и обратное рассеяние, которое регистрируется эхо-локатором) позволяет уверенно определять и размеры рыб, и мощность косяка. [1]
Для усиления рассеяния их часто делают многоходовыми, покрывая стенки капилляра зеркалом. Луч лазера, отражаясь от зеркальных поверхностей, многократно проходит через пробу и рассеяние его усиливается. [2]
Для усиления рассеяния светового пучка при его прохождении через аквариум добавим в воду немного молока и тщательно размешаем жидкость. Содержащиеся в молоке частички жира не растворяются в воде; они находятся во взвешенном состоянии и способствуют рассеянию света. [3]
Для получения корректного результата следует учесть факторы, приводящие к усилению рассеяния при ц УД. [4]
Следовательно, возбуждающее излучение совершает положительную работу, которая частично и затрачивается на усиление стоксо-ва рассеяния. [5]
При понижении температуры рост сопротивления поликристаллических графитных образцов обязан уменьшению плотности носителей, а не усилению рассеяния. [6]
Поэтому отмеченное выше увеличение скорости осаждения частиц с ростом скорости газа в электрофильтре ДМ-156 следует отнести преимущественно за счет усиления турбулентного рассеяния пылинок с ростом собственной турбулентности ( числа Re) газового потока. [7]
Решеточная теплопроводность сильно зависит также от массы частиц М, образующих решетку, так как увеличение М приводит, как покаывает расчет, к росту коэффициента ангармоничности и, следовательно, к усилению фонон-фононного рассеяния. Этим в значительной мере объясняется тот факт, что коэффициенты теплопроводности легких элементов, располагающихся в верхней части таблицы Д. И. Менделеева ( В, С, Si и др.), имеют величины порядка десятков и даже сотен ватт на метр-кельвин; у элементов середины таблицы Д. И. Менделеева / Срсш падает до единиц ватт на метр-кельвин, а у тяжелых элементов - уже до Десятых долей. [8]
Плотность создаваемых кристаллов гелия может быть различной и при высоких плотностях кристаллы становятся более классическими. Усиление рассеяния на атомах изотопа должно тогда уменьшаться при увеличении плотности. [9]
Однако каждая молекула в гетерогенной смеси рассеивает неодинаковое количество света. Большие молекулы не только рассеивают больше света, чем малые, но это усиление рассеяния возрастает прогрессивно с увеличением размера молекул. Поэтому средний молекулярный вес, найденный по результатам измерения светорассеяния, должен резко отличаться от средиечислового молекулярного веса, так как он зависит от распределения молекул по размерам и их формы в растворе, а также от их среднего размера. [10]
Стерн и Ховард [1705] в простейшем двумерном пределе исследовали эффекты высших порядков с помощью метода фазовых сдвигов. Грубо говоря, можно утверждать, что в случае притягивающих рассеивателей члены высших порядков способствуют усилению рассеяния, поскольку вблизи заряженных центров амплитуда волновой функции увеличивается. При отталкивающих рассеивателях эффект противоположен. Для более реалистических потенциалов задача не рассматривалась, но можно ожидать, что в действительности оорновское приближение является весьма хорошей аппроксимацией, поскольку в реальных инверсионных слоях эффективный рассеивающий потенциал становится значительно слабее, чем в двумерном пределе. [12]
 |
Электропроводность полупроводника, содержащего примеси. [13] |
На рис. 29 приведен график зависимости логарифма электропроводности от обратной температуры для типичного полупроводника л-типа. При низкой температуре электропроводность мала, но она возрастает логарифмически по мере возбуждения электронов от донорных центров в зону проводимости. Когда температура настолько высока, что все доноры ионизированы, при дальнейшем повышении температуры электропроводность падает из-за усиления рассеяния в решетке. В этой области, называемой областью истощения, вещество ведет себя как металл. При еще более высоких температурах электропроводность снова возрастает, так как происходит возбуждение из валентной зоны в зону проводимости. Другими словами, вещество ведет себя как внутренний полупроводник. [14]
Еще одним кристаллом, в котором деформация решетки вокруг изотопической примеси дает заметный вклад в тепловое сопротивление, является твердый неон. Интересно, что эксперимент [165], выполненный позже опубликования теоретических работ [45, 163], дал результаты, хорошо согласующиеся с теорией: поле деформаций усиливает рассеяние фононов на флуктуациях массы в неоне примерно в 1 4 раза. В аргоне, для которого нет экспериментальных данных по изотопическому эффекту в теплопроводности, теория [163] предсказывает усиление изотопического рассеяния всего на 5 %, что является следствием слабого энгармонизма в этом кристалле. [15]
Страницы: 1