Cтраница 1
Относительное усиление и коэффициент частотных искажений выражают как в относительных, так и логарифмических единицах. [1]
![]() |
Зависимость ра эластомеров СКН-40 ( а, СКВ ( б и СКМС-30 ( в от Мс. [2] |
Относительное усиление с увеличением молекулярного веса падает еще более круто. Поэтому следует полагать, что спад сопротивления раздиру и усиления связан с уменьшением адгезии полиизобутилена к частицам сажи по мере увеличения молекулярного веса. [3]
Отсюда относительное усиление или коэффициент частотных искажений многокаскадного усилителя в логарифмических единицах равны сумме относительных усилений или коэффициентов частотных искажений отдельных его каскадов в тех же единицах. [4]
Это относительное усиление определяется без учета полос пропускания сравниваемых схем. Если каскад с переходной связью имеет такую же полосу пропускания, как и одноконтурный каскад, то относительное усиление будет равно коэффициенту произведения усиления на полосу пропускания. [6]
Величина относительного усиления оказывается полезной, когда усиление напряжения в каскаде с критической связью сопоставляют с усилением напряжения в одноконтурном каскаде и при этом не интересуются полосами пропускания. Если каскад с критической связью отрегулирован на такую же полосу пропускания, как и одноконтурный каскад, то усиление напряжения будет равно коэффициенту произведения усиления на полосу пропускания. [8]
При выражении относительного усиления или коэффициентов частотных искажений в децибелах перемножение заменяют сложением. [9]
![]() |
Изменение энергии усиливаемого импульса и инверсной населенности по длине образца при различных значениях входной энергии. р 0 03 слг1. [10] |
С увеличением энергии относительное усиление на единицу длины кристалла падает, хотя абсолютный прирост энергии импульса увеличивается. Это иллюстрируется рис. IX.4, на котором изображена зависимость выходной энергии от энергии на входе усилителя. При большой энергии происходит высвечивание всех активных атомов в среде. Когда энергия приближается к предельной величине, значительная часть генерируемого в активном образце излучения рассеивается внутри самого кристалла, и энергия импульса увеличивается незначительно. Таким образом, наличие потерь в активной среде ограничивает возможности получения высоких уровней энергии путем увеличения длины образца. [11]
Все это подкрепляет относительное усиление материальной заинтересованности самых широких социальных слоев и рост соответствующих потребительских ожиданий. [12]
Для получения результирующего относительного усиления обоих каскадов на низшей частоте Км0 89 относительное усиление рассчитываемого каскада от влияния цепей Сс Rc и Сф R необходимо иметь равным. [13]
На оси ординат отложено относительное усиление интенсивности окраски с нингидрином. [14]
Выражение (5.11) показывает, что относительное усиление У резисторного каскада на низших частотах изменяется от 0 до 1 при изменении частоты сигнала / от 0 до оо. [15]