Заданное усиление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Если тебе трудно грызть гранит науки - попробуй пососать. Законы Мерфи (еще...)

Заданное усиление

Cтраница 4


Добротность усилительного каскада постоянна, определяется только соотношением 5 / С0 п не зависит от сопротивления нагрузки. Верхняя граница полосы пропускания при К0 - I, выраженная в мегагерцах, часто называется коэффициентом широкополосности лампы. Чем больше этот коэффициент, тем меньше каскадов требуется для получения заданного усиления при фиксированной полосе пропускания, тем меньшей стоимостью и большей надежностью обладает усилитель. Величина отношения S / C ( у пентодов обычно больше, чем у триодов. Однако триоды имеют меньший уровень шумов и потребляют меньшую мощность.  [46]

Эта величина, определяемая лишь параметрами лампы - ее крутизной, входной и выходной емкостями, называется коэффициентом широкополосное / пи лампы. Численно он равен полосе усиливаемых частот при усилении, равном единице. Чем больше коэффициент широко-полосности, тем большее усиление обеспечивает лампа в заданной полосе частот А / или тем большую полосу при заданном усилении / С. При конструировании широкополосных ламп расширяют полосу усиливаемых частот в первую очередь за счет увеличения крутизны. Согласно выражению (10.8), ее можно увеличить тремя способами: повышением напряжений, улучшением токораспределения и уменьшением расстояния от катода до управляющей сетки. Наиболее эффективным является третий способ.  [47]

При выборе транзистора исходят из характера радиоэлектронной схемы, а также требований к ее выходным электрическим параметрам и эксплуатационным режимам. Особое значение имеет диапазон рабочих температур конструируемого устройства в целом. Необходимо иметь в виду, что кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми лучше работают при повышенной температуре ( вплоть до 125 С), но их коэффициент передачи по току сильно уменьшается при низких температурах. Это обстоятельство заставляет использовать при низких температурах большее количество транзисторов для получения заданного усиления. Кроме того, кремниевые транзисторы в области малых токов имеют более резкую зависимость параметров ( Л21э и ДР -) от тока эмиттера.  [48]



Страницы:      1    2    3    4