Cтраница 1
![]() |
Характеристика вход-выход. [1] |
Хорошее усиление, разумеется, линейно, но это возможно лишь в определенных границах - далее f ( u) входит в режим насыщения, что ограничивает выходную мощность. Поэтому система дисси-пативна - мощность автоколебаний не может превосходить поток энергии из усилителя. [2]
![]() |
Схема селекторного устройства. [3] |
Такой усилитель обеспечивает хорошее усиление по напряжению, однако имеет высокоомный выход. Переменный резистор задает общее усиление, а микросхема D1, выполняющая роль усилителя мощности, обеспечивает дальнейшее усиление сигнала для нормальной работы динамиков. Перекидные, переключатели S2A и S2B обеспечивают режим работы селектора на передачу или на прием. [4]
На низких частотах трудно получить хорошее усиление антенны, и луч становится широким, охватывающим большую зону. На высоких частотах, особенно на сантиметровых волках, пользуясь антеннами размером в несколько метров, можно получать остронаправленные лучи. [5]
Таким образом, для получения хорошего усиления необходимо иметь большую крутизну S и высокое сопротивление нагрузки, однако величина последнего ограничивается шунтирующим действием емкостей транзистора. [6]
Но малое содержание примесей еще не обеспечивает хорошего усиления. Скорость, с которой электроны или дырки движутся в германии, определяет время прохождения ими пути от эмиттера до коллектора, а следовательно, частотную и импульсную характеристики полупроводникового триода. [7]
![]() |
Схема включения по постоянному току составного эмиттер-ного повторителя с активной нагрузкой. [8] |
Так как составной транзистор достаточно стабильно работает и дает хорошее усиление при значительных токах, протекающих через второй транзистор, то его целесообразно применять в оконечных и предвыходных каскадах, имеющих трансформаторную нагрузку. В этом случае изменение коллекторного тока с изменением температуры не имеет особого значения. [9]
Эта очень простая схема отличается малым коэффициентом шума и хорошим усилением и является, пожалуй, самой простой схемой, обладающей такими достоинствами. Однако у этой схемы имеется и немаловажный недостаток: в ней очень трудно осуществить автоматическую регулировку усиления. Всякая попытка снизить усиление регулировкой величины смещения на сетку ведет к увеличению входного сопротивления. Выходное напряжение каскада изменяется очень мало вплоть до достижения напряжения отсечки в сеточной цепи. При регулировке смещения ширина полосы пропускания должна, вероятно, очень сильно изменяться. Частично этот недостаток можно преодолеть, добавив во входную цепь фиксированную нагрузку, равную по величине приблизительно полному входному сопротивлению лампы. Применение такого сопротивления приведет к снижению усиления как раз в той точке, где оно особенно необходимо, и обусловит большее значение шумов, вызываемых последующими каскадами. По всем этим причинам такая схема используется не часто. [11]
Да, это усиление может достигать несколько тысяч раз, а поэтому мы можем также получить хорошее усиление по мощности. [12]
![]() |
Каскодная схема с безъемкостной связью между первым и вторым каскадами. [13] |
В то же время выходная проводимость первого каскада имеет величину такого же порядка, что и оптимальная проводимость источника для второго каскада, что позволяет получить от второго каскада с заземленной сеткой хорошее усиление. [14]
В низкочастотных усилительных схемах, связанных с звуковой аппаратурой или с устройствами привода, вопросы габаритов и энергетики в ряде случаев не стоят очень остро и поэтому при расчете этих схем иногда можно пойти на некоторое снижение энергетических показателей, позволяющее сравнительно просто обеспечить хорошее усиление по мощности и там, где нужно, отсутствие нелинейных искажений. На низкой частоте транзисторы обычно обладают высоким коэффициентом усиления мощности и это облегчает задачу создания низкочастотных мощных каскадов. Если в низкочастотной схеме не удается получить от одного транзистора требуемую мощность, то ввиду запаса по коэффициенту усиления легко решается задача параллельного соединения нескольких или многих транзисторов. [15]