Инжекционное усиление

Cтраница 1

Прямые ветви ВАХ диодов из rt - GeAu при Т77К, снятые при разных уровнях освещения. Интенсивность засветки увеличивается от кривой 1 к кривой 6.| Зависимость токовой фоточувствительности от напряжения для двух образцов диодов из. [1]

Инжекционное усиление при т-механизме фотопроводимости может проявляться при действии собственной и примесной засветок и связано с перезарядкой примесных уровней в базе диода. Ток срыва / ср при этом остается практически неизменным. Если ggw, проводимость базы существенно возрастает и ощутимым становится падение напряжения на р-я-переходе. [2]

Фотоэлектрическое инжекционное усиление заключается в том, что засветка из области собственного или примесного поглощения, модулируя сопротивление базовой области, вызывает дополнительное изменение инжекции носителей через р-я-пере-ход. [3]

Фотодиоды с инжекционным усилением перспективны для создания высокоэффективных фотоэлектрических устройств, чувствительных практически во всех областях оптического спектра. ИФД отличаются хорошими пороговыми характеристиками. Использование их возможно как в аналоговом, так и в дискретном режимах. Изучение, влияния немонохроматической засветки на инжекционные фотодиоды из n - GeAu показало, что прямая ветвь ВАХ деформируется при освещенностях Ю-5 лк и более. [4]

Фототранзистор с дополнительным инжекционным усилением [65] представляет собой структуру ( рис. 8.9), входной частью которой ( эмиттер - длинная база) является инжекционный фотодиод на основе высокоомного компенсированного полупроводника. Примесная засветка изменяет концентрацию основных носителей заряда в длинной базе. [5]

Однако выявленные закономерности инжекционного усиления в основных чертах распространяются и на диоды на основе широкозонных материалов, чувствительные в более коротковолновой области спектра. [6]

Количество материалов, в которых наблюдалось инжекционное усиление, очень велико. Это, например, германий, компенсированный Au, Hg, Си и др., кремний содержащий глубокие уровни Zn, В и др. Инжекционное усиление изучалось в диодах на основе бинарных соединений и твердых растворов. В зависимости от ширины запрещенной зоны полупроводника и глубины залегания примесей ИФД могут работать как при комнатной, так и при более низких температурах. [7]

При этом стационарный примесный фототок настолько сильно возрастает, что возникает его дополнительное ( по сравнению со случаем отсутствия полевого разогрева [53]) инжекционное усиление, которое может составлять несколько порядков. [8]

Зависимости D ( 1, чувствительности Sv ( 2 и напряжения шумов иш ( 3 от напряжения смещения. [9]

Инжекционные фотодиоды ( ИФД) - новый класс фотоприемников. В них реализуется внутреннее инжекционное усиление. [10]

Анализ общего уравнения биполярного переноса показывает, что параметры, определяющие распределение неравновесных носителей в базе ( биполярная подвижность ц, биполярный коэффициент диффузии D и др.), явно зависят лишь от характера примесной засветки и концентрации неосновных носителей. Параметрическое инжекционное усиление при действии света, слабого по интенсивности, pea лизуется даже в отсутствие сколь-нибудь заметной перезарядки глубоких центров. [12]

Страницы: 1