Лазерное усиление

Cтраница 1

Лазерное усиление возможно в том случае, если число лазерных переходов больше, чем число спонтанных переходов и переходов, связанных с поглощением вынуждающего излучения. [1]

Эффективность лазерного усиления, очевидно, зависит от вероятности лазерного перехода B2i и тем выше, чем больше эта вероятность. Большая вероятность лазерных переходов в полупроводниках и большая плотность энергетических состояний в зонах позволяет получить в лазерах на основе полупроводников хорошее лазерное усиление. [2]

Эффективность лазерного усиления, как видим, зависит от вероятности лазерного перехода 621 и тем выше, чем больше эта вероятность. Большая вероятность лазерных переходов в полупроводниках и большая плотность энергетических состояний в зонах позволяют получить в лазерах на основе полупроводников хорошее лазерное усиление. В твердотельных ( на основе твердых диэлектриков с примесями) и в газовых лазерах используются переходы в изолированных ионах, атомах или молекулах между дискретными уровнями. Усиление в них заметно ниже, чем в полупроводниковых лазерах, поэтому их размеры гораздо больше. [3]

Таким образом, лазерное усиление объясняется тем, что вынуждающее излучение по мере распространения в лазерном веществе больше приобретает энергии за счет лазерных переходов, чем отдает из-за поглощения. [4]

Таким образом, лазерное усиление объясняется тем, что вынуждающее излучение по мере распространения в лазерном веществе приобретает энергии за счет лазерных переходов больше, чем отдает из-за поглощения. [5]

Рассмотрим процесс возникновения лазерного усиления подробнее. [6]

Для количественной оценки лазерного усиления вводят понятие населенности уровня энергии, под которой понимают число атомов в единице объема, имеющих одинаковое энергетическое состояние. [7]

Оптоэлектронные инверторы Рнс. Оптоэлектронное бистабильное устройство.| Монокристаллические логические схемы. [8]

Действие оптических логических устройств основано на процессах лазерного усиления, генерации оптических сигналов, а также на процессах, связанных со срывом генерации одного лазера, вызываемым излучением другого лазера. [9]

Излучение в полупроводниках характеризуется тем, что в процессе лазерного усиления принимают участие не два энергетических уровня, а две зоны с конечным количеством уровней: зона проводимости и валентная зона. При этом испускание фотона произойдет только тогда, когда в зоне проводимости имеется электрон, а в валентной зоне - одновременно и дырка. [10]

В заключение этого раздела мы кратко ознакомимся с двумя другими примерами лазерного усиления в условиях, отличающихся от рассмотренных выше. Это имеет место, например, в случае лазерного усилителя на рубине, в котором нижний уровень совпадает с основным состоянием. Аналогичная ситуация возникает также в усилителе на ионах Nd3, когда тр 1 не. В обоих случаях усилитель работает по трехуровневой схеме. [11]

Зонные диаграммы р-п перехода. [12]

Тогда из (5.27) и (5.28) нетрудно получить условие инверсии населенностей при прямых межзонных переходах, т.е. условие возможности лазерного усиления в полупроводнике. [13]

Таким образом, порог Генерирования лазера - это энергия Е или мощность Рп, поступающая на вход источника питания лазера, при которой коэффициент лазерного усиления на частоте генерирования равен коэффициенту потерь в оптическом резонаторе на той же частоте. [14]

Таким образом, порог генерирования лазера - это энергия ( или мощность), которая поступает на вход источника питания лазера и при которой коэффициент лазерного усиления на частоте генерирования равен коэффициенту потерь в оптическом резонаторе на той же частоте. [15]

Страницы: 1 2