Усилитель - регенерация
Cтраница 2
 |
Схема запоминающего элемента для динамических ЗУ. а - трехтранзисторная МОП-ячейка. б - однотранзисторная МОП-ячейка. [16] |
Из-за токов утечек заряд конденсатора С со временем уменьшается. Время хранения заряда зависит от типа ячейки, технологии изготовления, внешних условий и обычно составляет от единиц миллисекунд до нескольких секунд. Для восстановления, регенерации распадающейся информации, хранимой в ячейке памяти, информационный код шины столбца инвертируется и вновь записывается в туже ячейку. Это осуществляется с помощью усилителя регенерации, заряжающего шину столбца А, если шина Б сохраняет предварительно занесенный в нее заряд. Если же разряжается шина Б, то предварительно занесенный заряд сохраняется шиной А. Затем подается потенциал на шину записи строки, и затвор транзистора VT1 приобретает потенциал, близкий к потенциалу шины А, благодаря чему регенерируется код, хранимый в ячейке памяти. При записи на шину столбца А подается нужный информационный код, который и будет записан в виде заряда на конденсаторе С. [17]
 |
Схема запоминающего элемента для динамических ЗУ. [18] |
Из-за токов утечек заряд конденсатора С со временем уменьшается. Время хранения заряда зависит от типа ячейки, технологии изготовления, внешних условий и обычно составляет от единиц миллисекунд до нескольких секунд. Для восстановления, регенерации распадающейся информации, хранимой в ячейке памяти, информационный код шины столбца инвертируется и вновь записывается в ту же ячейку. Это осуществляется с помощью усилителя регенерации, заряжающего шину столбца А, если шина Б сохраняет предварительно занесенный в нее заряд. Если же разряжается шина Б, то предварительно занесенный заряд сохраняется шиной А. Затем подается потенциал на шину записи строки, и затвор транзистора VT1 приобретает потенциал, близкий к потенциалу шины А, благодаря чему регенерируется код, хранимый в ячейке памяти. При записи на шину столбца А подается нужный информационный код, который и будет записан в виде заряда на конденсаторе С. [19]
В операции считывания на одной из линий выбора строки в соответствии с младшими битами адреса ( адрес строки) устанавливается высокий уровень. Он включает ключевой транзистор Q для всех запоминающих элементов выбранной строки. Адрес столбца ( старшие биты адреса) разрешает на выход один элемент в выбранной строке. В процессе считывания емкости во всей строке разряжаются. Чтобы сохранить информацию, усилители регенерации осуществляют запись в ту же строку элементов. Операция записи выполняется аналогично, но в выбранном элементе запоминаются входные данные, а остальные элементы в этой же строке просто регенерируются. [20]
Страницы: 1 2