Полупроводниковый усилитель

Cтраница 2

Полупроводниковые усилители У1, У2 и УЗ, применяемые в промышленных автоматических потенциометрах, уравновешенных мостах, приборах с дифференциально-трансформаторной измерительной схемой и приборах ферродинамического типа Государственной системы промышленных приборов и средств автоматизации ( ГСП), выполнены по блочно-модульному принципу. Усилители монтируют в приборах с помощью двух винтов и включают в схему на штепсельных разъемах. Это обеспечивает возможность легкой и быстрой замены вышедшего из строя усилителя, а также замены отдельных блоков, а в блоках, в свою очередь, - стандартных микромодулей. [16]

Полупроводниковый усилитель предпочтительней при усилении переменного тока; однако магнитный усилитель может оказаться более желательным по различным причинам, включая: 1) способность обеспечения питания при требованиях большой выходной мощности, 2) способность действия при высокой температуре и 3) наличие ограничения в источнике силового питания постоянного тока. Для уменьшения постоянной времени без потери усиления может оказаться наиболеее целесообразным применение комбинированного усилителя, состоящего из полупроводникового предварительного усилителя и магнитного силового усилителя. [17]

Полупроводниковые усилители питаются от источника постоянного или переменного тока. [18]

Принципиальная схема унифицированного электросилового преобразователя. [19]

Полупроводниковые усилители 6 типа УП-20 и УП-20-5 длительное время работают стабильно и не требуют никакого другого ухода кроме содержания их в чистоте. [20]

Полупроводниковые усилители, использующие полупроводниковые триоды, получают широкое распространение в автоматике и телемеханике, что обусловлено их малыми размерами, большим сроком службы, малым потреблением электрической энергии и простотой эксплуатации. Полупроводниковый триод - транзистор ( рис. VII-4) имеет вид цилиндра высотой 10 мм и диаметром 5 мм. Его функции аналогичны функциям трехэлектродной лампы. [21]

Полупроводниковые усилители имеют следующие преимущества: возможность миниатюризации и изготовления методами полупроводниковой интегральной технологии, высокотемпературного обезгаживания вакуумного объема, высокие надежность и быстродействие, низкое напряжение питания. Низкое напряжение питания обеспечивает легкое управление отдельными элементами в матрице полупроводниковых усилительных структур, что расширяет возможности и улучшает параметры электронно-лучевых накопителей. Однако полупроводниковые усилители используются не только для усиления слабых электронных потоков, но совместно с электронным лучом - для генерации импульсов тока и построения различных гибридных устройств управления. [22]

Технические характеристики усилителей УПД.| Принципиальная схема полупроводникового усилителя типа. [23]

Полупроводниковые усилители УПД в зависимости от рода тока, питающего измерительную схему, выпускаются также двух типов: УПД1 - для постоянного и УПД2 - для переменного тока. [24]

Полупроводниковый усилитель класса D - практически безынерционное звено, что существенно упрощает демпфирование системы. [25]

Блок-схема системы управления с полупроводниковым усилителем класса D. [26]

Полупроводниковые усилители класса D используются в сравнительно мощных следящих системах, в системах автоматического регулирования тока, напряжения и скорости вращения. [27]

Обычные ламповые и полупроводниковые усилители при допустимой нестабильности коэффициента усиления 10 - 30 % не требуют применения прецизионных резисторов. Усилители же с туннельными диодами при тех же условиях и сравнительно небольшом усилении ( 2 - 8 на каскад) требуют использования резисторов с достаточно малым разбросом. Этим требованиям удовлетворяют резисторы типа УЛИ и БЛП, имеющие разброс а1 и 0 5 % соответственно. [28]

Рассматриваемый полупроводниковый усилитель, как указано, выполнен на германиевых диодах и триодах и может устойчиво работать при изменении окружающей температуры от - 10 до 50 С. В случае, если потребуется больший диапазон температур, особенно повышение, то, очевидно, целесообразно диоды и триоды в этом усилителе заменить на кремниевые с подобными техническими параметрами. [29]

Схема полупроводникового усилителя следящей системы для управления двухфазным индукционным двигателем. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5