Cтраница 3
На рис. 14 - 2, а показана простейшая схема диэлектрического усилителя. Она отличается от схемы простейшего магнитного усилителя ( рис. 5 - 1) тем, что вместо управляемой индуктивности здесь использована управляемая емкость вариконда В / С. В результате изменяется сопротивление конденсатора переменному току в цепи нагрузки Хс - 1 / шС, а следовательно, и величина этого тока. Статическая характеристика диэлектрического усилителя приведена на рис. 14 - 2, в. Она подобна характеристике магнитного усилителя с параллельной нагрузкой. Uy, точно так же, как и в схеме магнитного усилителя на одном сердечнике. [31]
Эти возможности и реализуются в управляемых индуктивностях и емкостях, магнитных и диэлектрических усилителях, преобразователях - модуляторах слабых сигналов постоянного тока в сигналы переменного тока и других устройствах. [32]
На аналогичном принципе могут быть осуществлены усилители с нелинейными емкостями - диэлектрические усилители мощности. [33]
На аналогичном принципе могут быть осуществлены усилители, использующие ве-лииейные емкости - диэлектрические усилители мощности. [34]
![]() |
Основные свойства сегнетокерамических конденсаторов.| Конденсатор керамический, дисковый типа КД-2 ( сегнетокерамический. [35] |
ВК - Вариконды используют для различных целей, так, например, существуют диэлектрические усилители для усиления сигналов звуковой частоты. [36]
Широко используются в технике пьезоэлектрические свойства однозамещенных фосфатов рубидия ( RbH2PO4), из которых готовят пьезоэлементы диэлектрических усилителей и детали современных счетных машин. [37]
Усилитель - устройство для усиления напряжений и токов при помощи электронных ламп, полупроводниковых триодов или другими методами, например магнитными и диэлектрическими усилителями. [38]
Усилитель - устройстве долг усиления напряжений и токов при помощи электронных ламп, полупроводниковых триодов или другими методами, например магнитными и диэлектрическими усилителями. Когда амплитуды подводимых напряжений уже достаточно велики, но подводимая мощность недостаточна, применяют У. [39]
Сегнетоэлектрики находят применение: для изготовления малогабаритных низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью; для изготовления материалов с большой нелинейностью поляризации для диэлектрических усилителей, модуляторов и других управляемых устройств; в вычислительной технике - для ячеек памяти; для модуляции и преобразования лазерного излучения; в пьезо - и пироэлектрических преобразователях. [40]
![]() |
Зависимость величины заряда от напряжения метатитаната бария при циклическом изменении напряжения. [41] |
Высокие нелинейные свойства некоторых сегнетоэлектриков используются в специальных конденсаторах - ва-рикондах, применяющихся в разных устройствах для замены электронных ламп, для диэлектрических усилителей постоянного и переменного тока, умножителей и делителей частоты, стабилизаторов напряжения и ряда других целей. [42]
Нелинейные диэлектрики, диэлектрическая проницаемость которых значительно меняется при изменении напряженности электрического поля, могут быть использованы в качестве управляющих устройств для построения диэлектрических усилителей по принципу, сходному с принципом построения магнитных усилителей. [43]
В зависимости от состава диэлектрика получается различная зависимость диэлектрической проницаемости от температуры. Диэлектрический усилитель обладает рядом достоинств: большой прочностью, высоким коэффициентом усиления, малыми размерами, высоким входным сопротивлением, отсутствием необходимости затрачивать время на разогрев, так как в нем нет нитей накала, имеющихся в ламповых усилителях. К недостаткам его относятся: значительные потери, необходимость для его питания источника высокой частоты и нестабильность коэффициента усиления при изменении температуры, что требует осуществления специальной компенсации. [44]
Но у диэлектрического усилителя есть существенные преимущества: область применения магнитных усилителей пока ограничивается токами самых низких частот. Диэлектрический усилитель может работать а очень высоких частотах - до нескольких мегагерц. Работа а таких частотах позволяет использовать еще более эффективный вариант схемы усилителя. [45]