Cтраница 2
Сплавно-диффузионные транзисторы при достаточно низкой стоимости имеют высокий частотный предел, несложны в производстве, перспективны с точки зрения механизации и автоматизации, допускают - применение передовых технологических приемов. К недостаткам, ограничивающим области их применения, относятся низкое обратное напряжение UЗбп и сильная зависимость коэффициента усиления по току р от температуры. При крайних положительных значениях температуры р может достигать 1000 и более и транзистор теряет способность устойчиво работать. Сплавно-диффузионные триоды являются, как и сплавные, транзисторами массового применения, однако предпочтительная область их использования - линейные малосигнальные усилители видео - и радиочастот. [16]
Так как количество используемых выходных параметров m ограничено, естественно, что вектор Y не является исчерпывающей оценкой свойств схемы. Более подробная информация о схеме содержится в совокупности ее характеристик, представляющих собой зависимости токов, напряжений на внешних выводах схемы или их отношений от частоты, времени или какого-либо внешнего параметра. Примерами таких характеристик являются амплитудно-частотная ( АЧХ), фазочастотная ( ФЧХ), амплитудная, переходная. Эти характеристики в теории линейных электрических цепей часто называют функциями цепи. Оперирование функциями при проектировании схем, особенно нелинейных, как правило, менее удобно, чем оперирование совокупностью отдельных чисел. Поэтому и переходят к выходным параметрам yj, которые интерпретируются, как функционалы характеристик, подобных переходной, АЧХ, ФЧХ и др. Так, малосигнальные усилители характеризуются такими выходными параметрами, как коэффициент усиления по напряжению, входное и выходное сопротивления на средних частотах, граничные частоты полосы пропускания. Для переключательных схем выходными параметрами являются функционалы зависимости выходного напряжения от времени: длительности задержек и фронтов выходного импульса, его амплитуда или высокий и низкий уровни выходного напряжения. Важным выходным параметром большинства схем является рассеиваемая мощность, которая также является функционалом временных зависимостей напряжений и токов схемы. [17]