Cтраница 2
Если контур находится в вакууме, как в случае индукционного ускорителя, работа, производимая над зарядом, приведет к увеличению его энергии. [16]
Сейчас, в частности работами Я. П. Терлецкого, показано, что электрические поля на Солнце и звездах, вызванные переменными магнитными полями, обязанными наличию магнитных моментов, непараллельных оси вращения ( космический индукционный ускоритель, близкий к бетатрону), действительно могут ускорять частицы до огромных энергий. Ускорение также может иметь место согласно Дэвису в случае параллельности магнитного момента оси вращения звезды, действующей в этом случав в качестве униполярной машины. Эти гипотезы приобрели значительный вес после открытия Бэбкоком магнетизма у ряда звезд ( Девы L78 и других), причем напряженность поля достигает значений в тысячи гауссов. Далее Ферми заметил, что при столкновении достаточно быстрых протонов с облаками межзвездной материи, вероятно намагниченными, частицы могут добавочно ускоряться. Как подчеркнули Теллер и Рихтмейер, весьма вероятно, что первичные космические частицы, прежде чем попасть на землю, довольно долго диффундируют, притом скорее всего внутри галактики, что обеспечивает изотропность потока. [17]
За исключением индукционного ускорителя - бетатрона, все остальные типы циклич. Поэтому возникает задача - обеспечить на большом пути устойчивость движения, так чтобы орбита частиц не отличалась сильно от расчетной. [18]
Рассмотрим, например, излучение при движении электрона в бетатроне. Принцип действия индукционного ускорителя заряженных частиц - бетатрона подобен принципу трансформатора стой разницей, что роль вторичной обмотки трансформатора играет кольцевая траектория ускоряемого электрона, инжектируемого ( впускаемого) в магнитное поле бетатрона перпендикулярно вектору магнитной индукции В. Во всех точках окружности радиуса R, по которой движется электрон, В const, но магнитное поле убывает с увеличением R, обладая осевой симметрией. [19]
Интересные результаты получены в НИИ электронной интроскопии в области разработки бетатронного метода дефектоскопии и интроскопии. Так, использование разработанного в институте сцинтилляционного дефектоскопа совместно с индукционным ускорителем с энергией 30 Мэв позволило повысить чувствительность к выявлению дефектов до 0 3 % при толщине стальных образцов 300 мм. [20]