Условие - запирание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Вы молоды только раз, но незрелым можете оставаться вечно. Законы Мерфи (еще...)

Условие - запирание

Cтраница 3


Подключение ЯН2 значительно уменьшает величину иако - В случае симметричной нагрузки допустимое значение Я 2макс несколько увеличивается. Таким образом, подключение нагрузки сокращает область допустимых значений ( Я и Е в связи с опасностью нарушения условий запирания транзисторов.  [31]

Рассмотрим относительное влияние внешней коллекторной нагрузки на режим насыщенного триггера с внешним и автоматическим смещением. Так как величина RK входит в уравнения коллекторного тока и тока базы открытого триода и не входит в уравнение ( 82), определяющее условие запирания, то, очевидно, подключение нагрузки R IK к схеме с внешним источником смещения сводится к воздействию на открытый триод. Иначе обстоит дело при подключении RaK к схеме с автоматическим смещением.  [32]

33 Распределение примесей в микросплавном транзисторе с однородной базой. Э - эмиттер. Л - коллектор. Б - база. Na и Л д - концентрации акцепторов и допоров. [ IMAGE ] Распределение примесей в микросплавном транзисторе с градиентом примесей в базе.| Выходные характеристики транзистора. [33]

Время задержки тэ зависит от величины емкости эмиттерпого перехода и обычно составляет незначит. Время рассасывания тр определяется зарядом, накопленным в базовой и коллекторной областях транзистора, их размерами, временем жизни носителей заряда в этих областях и особенно условиями запирания.  [34]

35 Распределение примесей в микросплавном транзисторе с однородной базой. Э - эмиттер.| Распределение примесей в микросплавном.| Выходные характеристики транзистора. [35]

Время задержки т3 зависит от величины емкости эмиттерного перехода и обычно составляет незначит. Время рассасывания тр определяется зарядом, накопленным в базовой и коллекторной областях транзистора, их размерами, временем жизни носителей заряда в этих областях и особенно условиями запирания.  [36]

Напряжение ыС1 на конденсаторе в течение рассматриваемого кратковременного этапа подготовки остается постоянным. Поэтому изменения напряжений ик2 и ц6, оказываются примерно равными друг другу. Через некоторое время tn напряжение иб, достигает порогового уровня, условие запирания (1.48) нарушается и транзистор отпирается. Следовательно, в момент t3 триггер оказывается подготовленным к началу регенеративного процесса.  [37]

Максимальное число входов ( п) ограничено ростом глубины насыщения в наиболее неблагоприятном случае и, следовательно, увеличением 1Я ср. Кроме того, увеличение п может привести к нарушению условий нормального функционирования ключа. Выполнение условия запирания при этом затрудняется.  [38]

На рис. 2 - 22 показаны номера термопар, расположенных по длине трубы. Поскольку температура непосредственно связана с давлением, полученный им температурный профиль может рассматриваться как аналогичный профилю давления. Кривая А отвечает случаю дозвукового течения с восстановлением давления. Кривая В, полученная в результате понижения температуры в конденсаторе, соответствует варианту достижения скорости звука в конце испарителя и, следовательно, работе трубы в условиях запирания течения.  [39]



Страницы:      1    2    3