Cтраница 1
Условие насыщения должно выполняться для всех значений коэффициента В транзистора выбранного типа, включая и минимально возможные, при которых выполнение неравенства (3.29) наиболее затруднено. [1]
Условие насыщения выражается соотношением / б / К / АМЭ. [2]
Условие насыщения одного из транзисторов ( когда другой закрыт) также можно записать в виде равенства, если определить наименьшее значение тока базы / e H навм. [3]
Условие насыщения труднее всего выполняется при низких температурах, когда В Вмин. [4]
Условие насыщения жидкости газом до равновесных концентраций создает предпосылки для выделения растворенных газов после пуска насосов, при провалах давления, сопровождающих переходные режимы, в том числе запуск и остановку. [5]
Условием насыщения транзистора типа р-п - р является положительный потенциал коллектора по отношению к базе. [6]
![]() |
Осциллограммы напряжения коллектор - эмиттер и тока коллектора мощного транзисторного ключа. [7] |
Если условие насыщения должно выполняться в широких пределах изменений токов коллекторов, то для обеспечения наибольшего значения тока / к при наименьшем значении величины Л21э необходимо, чтобы величина тока базы была достаточно большой. В случае, если ток / б слишком мал, чтобы ввести транзистор в режим насыщения, мощность рассеяния на коллекторе может превысить максимально допустимое значение. Однако, если ток / б соответствует или больше максимальной величины / к макс / э мин, то при средних значениях тока / к ( нормальный режим работы двигателя) предварительный усилитель работает неэкономично. [8]
Рассмотрим условие насыщения транзистора в триггере и вычислим токи насыщенного транзистора. [9]
По условиям насыщения пород водой в земной коре выделяют зоны аэрации и насыщения. В зоне аэрации в самой верхней части литосферы часть пор и пустот в породах заполнена воздухом, часть - водой. Мощность зоны аэрации изменяется в широких пределах, будучи максимальной в горных районах. В зоне насыщения пустоты и поры пород почти сплошь заполнены водой. [10]
В условиях насыщения более вероятны релаксационные переходы с верхнего зеемановского уровня на нижний. [11]
В условиях насыщения рост мощности генерации в активном слое вследствие увеличения длины диода полностью компенсируется увеличением внутренних потерь. В то же время мощность генерации в расчете на единицу длины ST / l как функция к - при / const имеет максимум. Его положение легко найти, если производную от Sr / l по кг приравнять нулю. [12]
В условиях насыщения, когда N п0, при одинаковых значениях р0 и р кривые (6.3) и (13.3) должны иметь максимумы при одной и той же температуре. [13]
В условиях насыщения водой угол внутреннего трения равен 23 - 30, сцепление - 0 - 0 23 - 105 Па; уплотняемость глин в естественном состоянии в интервале нагрузок 0 - 2 - Ю5 Па составляет 0 011 - 0 047 см2 / кг в интервале нагрузок 2 - 4 - Ю5 Па - 0 016 - 0 041 см2 / кг. [14]
![]() |
Кривые насыщения заселенности резонансного уровня атома бария 122 ], при разном соотношении вероятностей тушащих и спонтанных переходов. [15] |