Условие - сохранение
Cтраница 1
Условие сохранения неизменной постоянной Видмара приводит к изменению линейной нагрузки пропорционально диаметру. В действительности возрастание линейной нагрузки может происходить несколько медленнее, чем увеличение диаметра, и это связано в первую очередь с ограничением глубины паза, в частности, по соображениям механической прочности. [2]
Условие сохранения цело численности. [3]
 |
Зависимость максимальной вероятности кристаллизации Р от температуропроводности х. [4] |
Условие сохранения потока (2.93) определяет распределение (2.95) теплоты кристаллизации в ультраметрическом пространстве. Подобно формированию закритического зародыша в ходе фазового перехода первого рода [102], преодоление барьера V0, обеспечивающее закритический тепловой эффект q qc, происходит за время ( ср. [5]
Условие сохранения электронейтральности, аналогичное по виду (1.6), связывает изменения чисел ионов, входящих в состав электролитов, поглощенных ионитом. [6]
Условие сохранения равенства оборотов обоих дизелей вызывает необходимость блокировки их управления в пути с поста машиниста. [7]
 |
Контрольный объем в однофазном потоке. [8] |
Условие сохранения массы фазы k в контрольном объеме может быть сформулировано следующим образом: изменение массы фазы в объеме А К во времени равно сумме конвективного потока массы фазы через границы объема и изменения массы фазы за счет фазового перехода. [9]
Условие сохранения импульса фазы k - изменение импульса фазы k в объеме А К - обусловлено конвективным потоком импульса через его границы, воздействием внешних поверхностных и объемных сил и обменом импульсом между фазами. [10]
Условие сохранения энергии фазы k - изменение энергии фазы k в объеме А К - определяется конвективным потоком энергии, обменом энергий. [11]
Условие сохранения электронейтральности кристалла в целом играет важную роль в кристаллохимии. Принцип компенсации заряда позволяет выдвинуть общий метод получения вакансий или мест с аномальной валентностью путем введения заранее подобранных примесей. [12]
 |
Зависимость электролюминесценции GaAs р-типа ( легированного Zn от концентрации примеси. Концентрация приведена в см. Т 4, 2 К. [13] |
Условие сохранения волнового вектора при переходах зона-примесь ослаблено вследствие того, что дефекты нарушают трансляционную симметрию кристалла. Поэтому электрон в зоне проводимости может рекомбинировать с дыркой на акцепторе независимо от своего волнового вектора. Вероятности излучательной рекомбинации для переходов зона-примесь в полупроводниках типа цинковой обманки с прямой запрещенной зоной были вычислены Думке [ 7.191 и сравнивались с вероятностями переходов зона-зона. [14]
 |
Применение тиристора в цепи дистанционного расцеггителя низковольтного выключателя. [15] |
Страницы: 1 2 3 4