Условия - дифракция
Cтраница 2
 |
Электронно-микроскопические снимки дефектов в синтетических монокристаллах алмаза. [16] |
При дислокации смещение Rd, вызывающее наиболее существенные эффекты контраста, является непрерывной функцией. Плоскости кристалла вблизи дислокаций слегка изогнуты, поэтому условия дифракции для дислокаций и окружающих областей различны. [17]
Реально в кристалле могут распространяться одновременно лишь неск. E ( k, to), для к-рых удовлетворяются условия дифракции. [18]
РЕНТГЕНОВСКАЯ КАМЕРА, прибор для исследования и контроля атомной структуры в-в, в к-ром создаются условия дифракции рентгеновских лучей на исследуемом образце и регистрируется на фотопленке дифракц. Применяется в рентгеновском структурном анализе, рентгенографии материалов и рентгеновской топографии. [19]
Ции Лауэ, не всегда удобны для использования в экспериментах. В более простой и удобной форме эти условия были представлены Брэггом. Условия дифракции ных друг под другом. [20]
Рано или поздно даже бездумное перемещение фотопластинки увенчалось бы успехом. Но если бы этого и не случилось, то Лауэ, начавший разрабатывать математическую теорию явления, без сомнения, вывел бы условия дифракции, которые показали бы, где надо ставить пластинку, чтобы обнаружить эффект. [21]
При прохождении через такой образец в результате дифракции падающий электронный пучок разделяется на пучок, прошедший прямо, и на ряд пучков, отклонившихся под разными углами. Пусть в совершенной части пластинки интенсивность падающего пучка делится почти поровну между проходящим и рассеянным пучками. В местах дислокаций плоскости решетки отклоняются от идеальной ориентации. Допустим, что условия дифракции таковы, что решетка справа от дислокации имеет ориентацию, удовлетворяющую условию Брэгга. Тогда справа от дислокации интенсивность отклонившегося пучка больше, чем слева, где кристаллическая решетка повернута в противоположную сторону. [22]
Идеальные ( совершенные) кристаллы представляют собой бесконечную, совокупность атомов, периодически расположенных в пространстве. Все реальные кристаллы имеют несовершенства строения: точечные, линейные, поверхностные и объемные дефекты, локально нарушающие правильное расположение атомов. Эти дефекты играют очень важную роль в определении свойств кристаллов, а также поведении поликристаллических тел под нагрузкой. Линейные дефекты, нарушающие правильное чередование атомных плоскостей в кристаллических решетках ( в пределах одного или нескольких межатомных расстояний), называются дислокациями. Дислокации различных видов всегда образуются в процессах кристаллизации, пластического деформирования, возникновения концентраций напряжений, при больших направленных термических нагрузках и при облучении материала частицами высоких энергий. Присутствие дислокаций изменяет условия дифракции рентгеновских лучей или потока электронов, а также химическую активность металлов вблизи дефектов. [23]
Страницы: 1 2