Условия - минимум
Cтраница 1
Условия минимума этого функционала приводят к уравнениям ( VIII. [1]
Условия минимума, выраженные при помощи (14.22), удовлетворяются при нескольких значениях энергии. Вместо того чтобы взять наименьший корень, они выбрали параметры таким образом, чтобы минимизировать следующее за низшим значением энергии. Это дает значение - 0 28980 R / zc, что на 0 7 % выше наблюдаемого значения. Мы дадим лучшую оценку точности, если заметим, что получающееся отклонение от водородоподобного значения - 0 25 R / zc лежит в пределах 5 4 % от истинного отклонения. [2]
Условия минимума термодинамических потенциалов требуют сравнительно тонкого анализа. Не имея возможности его привести, заметим только, что потенциалы всегда имеют минимум по отношению к микроскопическим переменным, которые характеризуют состояние. [3]
Из условия минимума / ( р) определяем вариационный параметр Ро 1 / а, где а Ъ2 / ( це2) - атомная единица длины. [4]
Из условия минимума этой суммы можно найти параметры элементарной ячейки - они и характеризуют упаковку молекул. [5]
Из условия минимума массы толщина стенки должна быть минимальной, ее значение принимают обычно из конструктивно-технологических ограничении. [6]
Из условия минимума функционала (3.44) вытекает уравнение относительно р ( х), определяющее плотность дислокаций вдоль термодинамически равновесного двойника. [8]
Из условия минимума энергии ( ее плотность пропорциональна величине D2 / е) следует, что при е - 0 произойдет выталкивание силовых линий индукции D и, из-за постоянства ее потока, их концентрация в виде квазиодномерной струны. [9]
Из условия возможного минимума критерия качества, учитывающего технологические взаимосвязи между переменными ( обусловленные решением соответствующей краевой задачи), определяем их оптимальные значения и сравниваем целевое и текущее состояния системы. [10]
Из условия минимума свободной поверхностной энергии кристалла, различные грани к-рого ( совместимые с данным типом кристаллич. [11]
 |
Принципиальная измерительная схема двойного резонансного контура для определения влажности в полупроводниках. [12] |
Так как условия минимума независимы от Rx, то действительная часть емкости пробы определяется измеренным приращением С0 при / гмин В этой схеме возможность измерений проб веществ с высокими диэлектрическими потерями достигается введением слабой емкостной связи Сс между двумя колебательными контурами. Недостатком схемы является необходимость ручной настройки конденсатора С0 для получения / р-мин при внесении в контур пробы. [13]
 |
Седло 1 2ху и его линии уровня. [14] |
Чтобы установить условия минимума Fxx 0 и FxxFyy F % y, достаточно вычислений. [15]
Страницы: 1 2 3 4