Cтраница 1
Условия напыления ( температуры испарения и конденсации) могут менять и механические напряжения в пленке, которые во многом определяют стабильность конденсатора, поэтому технологический процесс проводится в условиях, при которых натяжения в пленках минимальны. [1]
Условия напыления в очень сильной степени сказываются на твердости покрытия, и поэтому если эти условия точно не указаны, то никакие сравнения проводить невозможно. [2]
Применение масок целесообразно в тех случаях, когда условия напыления требуют высокой температуры, а указанная точность удовлетворяет требованиям, необходимым для работы микросхем. [3]
При нанесении клея на металлическую поверхность указанным способом необходимо тщательно отрегулировать условия напыления таким образом, чтобы предотвратить перегревы, которые могут привести к преждевременному превращению полимера в неплавкое и нерастворимое состояние. [4]
При нанесении клея на металлическую поверхность указанным способом необходимо тщательно отрегулировать условия напыления таким образом, чтобы предотвратить перегревы, которые могут привести к преждевременному переходу полимера в неплавкое и нерастворимое состояние. [5]
Пленки обладают высокими и устойчивыми термоэлектрическими характеристиками, значительно лучшими, чем у объемных монокристаллов. Предложены условия напыления пленок на подложки с большой поверхностью с эффективными и воспроизводимыми характеристиками. [6]
Теплообмен можно разбить на две составляющие: обмен теплом между частицами и поверхностью и между газовой несущей струей и поверхностью. Очевидно, что при достаточно малых концентрациях частиц ( фр 10 3), обычно реализуемых в условия газодинамического напыления, и температурах частиц, меньших температуры торможения струи, теплообмен между частицами и поверхностью мал по сравнению с теплообменом между поверхностью и газовым течением. Поэтому при оценке температуры поверхности наибольшее значение имеет учет процессов теплообмена с газом. [7]
Условия напыления некоторых материалов представлены в табл. 101, из которой видно, что коэффициент использования порошков невелик, а плотность образующихся покрытий составляет в среднем 80 - 90 % от теоретической. [8]
Двухатомные газы дают плазменные потоки с большим теплосодержанием и более удлиненный факел, чем одноатомные. При этом увеличивается время пребывания материала покрытия в плазменном потоке. С повышением расхода плазмообразующего газа изменяются свойства плазменного потока, изменяются условия напыления покрытий и соответственно, свойства напыленных покрытий [ 43, с. [9]
Более явным должно быть отклонение толщины пленок, осажденных в вакууме через маску, по сравнению с толщиной пленок, осажденных при тех же условиях на открытую подложку. Для проверки этой закономерности сравнивались медные пленки, напыленные одновременно на ситалловые подложки 48X30 мм с маской и без маски. С этой целью стандартная подложка 48X60 мм разрезалась пополам и обе половины ее устанавливались на одной позиции, только одна половина находилась пад маской с 72 одинаковыми щелями, а другая оставалась открытой. Условия напыления: давление остаточных газов 10 - 5 Торр, температура подложки 150 - 260 С. [10]
Свободные маски из молибдена, тантала, вольфрама, полученные этим способом, обладают исключительно высокой термостойкостью. Это обеспечивает их многократное использование ( до 1000 раз) в процессах напыления с жесткими условиями. Поскольку практически очень трудно выдерживать совершенно одинаковые условия для всех последовательно изготовленных масок даже при индивидуальном контроле, между ними возникает расхождение в 5 - 15 мкм в размерах одних и тех же элементов на разных масках. Применение этих масок целесообразно в тех случаях, когда условия напыления требуют высокой температуры, а указанная точность удовлетворяет требованиям, необходимым для работы микросхем. [11]
Для увеличения прямого тока необходимо разогреть электроны в полупроводнике, поднять их энергию. Такой разогрев может быть осуществлен с помощью электрического поля. Для этого используют пластину полупроводника сложной структуры: на пластине сильнолегированного полупроводника ( п), являющейся подложкой, выращивается тонкая пленка высокоомного кремния. На поверхность высокоомной пленки напыляются металлические контакты в виде пятен диаметром 20 - 100 мкм. В качестве контактирующего материала может быть использовано золото или молибден. Исключительно важное значение для получения высококачественного контакта имеет предварительная обработка и очистка поверхности и условия напыления. [12]