Условия - рекомбинация
Cтраница 1
Условия рекомбинации не изменяются от включения небольшого тянущего поля между эмиттером и коллектором. [1]
Влияние оказывают также условия рекомбинации на поверхности и в объеме. [2]
Большое значение приобретают условия рекомбинации свободных зарядов как в толще полупроводника, так и на его поверхности. Непосредственная рекомбинация электрона с дыркой мало вероятна. При этом освобождается сразу энергия, равная ширине запретной зоны, тогда как кристаллическая решетка может воспринимать тепловую энергию только в виде фононов с энергией hv, где v - - частота одного нз собственных колебаний решетки - величина, не превосходящая 1013 сек. Следовательно, энергия фонона не превосходит 6.6 10-ет 1013 6.6 10 - 14 эрг или 0.04 эл. [3]
 |
Зависимость темновой проводимости ( т и фотопроводимости ( тс от напряженности электрического поля. [4] |
Это допущение не совсем строго потому, что повышенная концентрация свободных электронов, вызванных полем, может несколько изменить условия рекомбинации фотоэлектронов и, следовательно, повлиять на равновесное число фотоэлектронов. [5]
 |
Электрические схемы ЭЗД с питанием. [6] |
В дальнейшем для устранения нежелательных эффектов был предложен импульсный метод питания, который позволяет стандартизировать электронную температуру ( приблизив ее к равновесной, тепловой) и подвижность электронов, улучшить условия рекомбинации отрицательных и положительных ионов и уменьшить влияние пространственного заряда, хотя и в этом случае появление ложных показаний не исключается. [7]
 |
Влияние внешнего поля на спектральное распределение дырочного фототока в монокристаллах пирена. [8] |
Исходя из тех представлений, что генерация носителей фототока в органических полупроводниках идет через стадию экситонов, а стационарное значение фототока определяется условиями рекомбинации носителей, Авдеенко, Набойкин и Шеина [59] выдвинули положение о том, что вид спектра фотопроводимости должен зависеть от величины внешнего поля, приложенного к полупроводнику, поскольку поле, разделяя заряды, изменяет условия рекомбинации носителей. [9]
Такое понимание эмпирической формулы ( 9в) не совсем правильно. Обычно условия рекомбинации ионов основной решетки видоизменяются присутствием примесных ионов, занимающих часть свободных узлов решетки, а диссоциация решетки в свою очередь смещает равновесие примесных ионов. [10]
 |
ЯС-генератор, твердой схемы. [11] |
Модуляция потока электронов в базу компенсируется изменением числа поступающих в базу дырок. Изменяются также и условия рекомбинации в базе. [12]
При оценке полученных результатов следует иметь в виду, что в работе не указана площадь, по отношению к которой определен остаточный заряд. Приведенные данные свидетельствуют лишь о том, что с увеличением скорости отрыва растет остаточный заряд, который измеряли на поверхности после газового разряда. Одновременно растет адгезионная прочность. Таким образом, условия рекомбинации двойного слоя в процессе отрыва пленки влияют на адгезионную прочность и остаточный заряд. [13]
Страницы: 1