Условия - движение - электрон
Cтраница 1
Условия движения электронов в каждом из эквивалентных диодов различны. В усилительном режиме триод работает на среднем, приблизительно линейном участке статической характеристики, когда ток через него полностью ограничен объемным зарядом. [1]
Если условия движения электронов в аморфных материалах и отличаются от условий движения их в кристаллической среде, то существование дискретного энергетического спектра и, в частности, запретных зон, процессы перехода электронов под действием теплового движения с одного квантового уровня на другой, процессы рекомбинации, диффузии и статистическое равновесие системы электронов столь же свойственны аморфным телам, как и кристаллам. Свойства как кристаллических, так и аморфных полупроводников определяются межатомными связями, взаимным расположением атомов и вытекающими отсюда квантовыми состояниями электронов. [2]
Такие условия движения электронов могут быть получены, если электронную лампу, катод и анод которой изготовлены в виде двух соосных цилиндрических поверхностей, расположить внутри достаточно длинного соленоида параллельно его оси. [3]
Чаще всего условия движения электрона не соответствуют ни одному из этих двух крайних случаев. Как и в первом случае, на поступательное движение электрона накладывается колебательное движение, но уже нельзя пренебречь столкновениями электронов с частицами газа за время одного периода поля, а также необходимо учитывать изменение электрического поля и распределение электронов по скоростям за время движения электрона между столкновениями. [4]
Чтобы оценить условия движения электрона в периодическом электрическом поле кристалла, рассмотрим следующую упрощенную полуклассическую модель. [5]
 |
Схема отражения радиоволн от ионосферы. [6] |
В присутствии постоянного магнитного поля изменяются условия движения электронов, вследствие чего изменяются и электрические параметры ионизированного газа. [7]
В полупроводниках число электронов проводимости в тысячи и миллионы раз меньше числа атомов; расстояние между соседними свободными электронами составляет десятки и сотни атомных расстояний. Поэтому преобладающее влияние на условия движения электронов имеет атомная решетка, взаимодействием же свободных электронов часто можно пренебречь. [8]
В полупроводниках число электронов проводимости в тысячи и миллионы раз меньше числа атомов; расстояния между соседними свободными электронами составляют десятки и сотни атомных расстояний. Поэтому преобладающее влияние на условия движения электронов имеет атомная решетка, взаимодействием же свободных электронов друг с другом часто можно пренебречь. [9]
Нанесение на поверхность одноатомной пленки металла, снижающей работу выхода, приводит, разумеется, к смещению фотоэлектрической границы в сторону длинных волн. Однако нет основания при этом ожидать заметного увеличения квантового выхода, так как условия передачи энергии от фотонов электронам внутри эмиттера и условия движения электронов к поверхности остаются прежними. В современных фотоэлементах металлические пленочные фотокатоды совершенно не применяются. [10]
Чтобы это вырождение выявить экспериментально, необходимо создать такие условия, когда движения по углам р и 0 станут неэквивалентными, т.е. нарушить сферическую симметрию системы. Этого можно добиться, если поместить атом водорода во внешнее электрическое или магнитное поле. Тогда условия движения электрона вдоль векторов напряженности или индукции поля или перпендикулярно им окажутся различными. [11]
Требование большой концентрации электронов в междуэлектродном промежутке генератора вызывает существенно большую разницу между электронной лампой и генератором. В электронной лампе пространственный отрицательный заряд вблизи катода не является существенным недостатком и во многих случаях даже желателен, а в термоэлектронном генераторе такой заряд может привести к тому, что генератор перестанет действовать. В самом деле, отрицательный пространственный заряд затрудняет эмиссию и ухудшает условия движения электронов к аноду. Поэтому в термоэлектронном генераторе приняты меры к устранению вредного действия пространственного заряда. [12]
СН СН) т -, п-электроны не локализованы; они могут свободно перемещаться вдоль цепи. Условия движения электрона в такой полиметиновой цепи ( радикал - СН называют-метином) довольно близко соответствуют модели одномерного потенциального ящика ( см. стр. [13]
Страницы: 1