Установка - тензорезистор
Cтраница 2
Для проверки расчетных схем, выявления наиболее натруженных зон блока СОТП и выбора мест установки тензорезисторов были проведены исследования НДС корпусов блоков на упругих тензометрических моделях из полимерных материалов. Экспериментально исследованы НДС как одиночной обмотки, так и всей конструкции в целом. [16]
В результате проведенных исследований были получены относительные единицы деформаций однослойных обсадных труб в точках установки тензорезисторов, максимально удаленных от мест защемления труб при изменении внешних давлений от нуля до сминающих. [17]
Проведенные эксперименты позволяют утверждать, что поверхность класса чистоты у 3 - V7 в месте установки тензорезистора не вызывает разброса его показаний больше, чем погрешность метода измерения тензорезисторами под давлением. При шероховатости поверхности с более высоким классом чистоты погрешность еще меньше, но необходимо обратить внимание на качество приклеивания тензорезисторов, чтобы предотвратить их отставание в связи с ухудшением адгезии клея. Поверхности с классом чистоты менее уЗ не могут быть допущены в местах установки тензорезисторов ввиду возможного повреждения решетки в результате прижима приклеенного тензорезистора в процессе его сушки. Импульсная приварка тензорезисторов на металлической подложке [5 ] к поверхностям с грубой обработкой также затруднена из-за возможного прожога металлической фольги подложки. [18]
При исследовании напряжений в деталях атомного энергетического оборудования практически невозможно определять все параметры облучения в местах установки тензорезисторов, поэтому единственно возможным способом оценки меры облучения является измерение величины, тензорезисторов. Единственно возможным способом оценки меры облучения является измерение величины с тензорезисторов. [19]
 |
Лабораторная установка для тарировки тензорезисторов в условиях высокого давления. [20] |
Нагрузочное устройство 2 посредством грузов 4 растягивает тягу 3, на которой имеется площадка прямоугольного сечения для установки изучаемых тензорезисторов. [21]
Метод позволяет быстро получить информацию о конструктивных дефектах и местах вероятного разрушения деталей при статической и циклической нагрузках; он обеспечивает возможность правильного выбора зон установки тензорезисторов, обладающих большей точностью измерений. [22]
 |
Распределение главных напряжений а в поперечном сечении оптической модели ( а и продольном сечении тензомет-рической модели ( б. [23] |
Любое защитное устройство можно применять только в том случае, если оно не вносит изменений в напряженное состояние конструкции и, прежде всего, не влияет на напряжения в месте установки тензорезистора под колпаком. Оценка влияния рассмотренного выше защитного устройства была сделана на плоской ( рис. 51) и объемной оптических моделях, а также тензометрическим методом на модели ( рис. 52) и натурной конструкции сосуда. [24]
 |
Конструкция защитного устройства для изоляции тензорезисторов от среды при сверхвысоких давлениях. [25] |
Сложность обеспечения герметичности и механической прочности защитного приспособления в условиях сверхвысоких давлений не снижает требований к легкости и простоте монтажа защитных средств при отсутствии их влияния на напряженное состояние как всего изделия, так и отдельных участков в месте установки тензорезистора. [26]
Местные деформации Де, обусловленные влиянием тепловой инерционности защитных устройств и искажением температурного поля в месте измерения, зависят от конкретных условий измерений, конструкции защитного устройства и определяются стендовыми испытаниями моделей или расчетно-экспериментальным путем с использованием данных по измеренным фактическим температурам натурного объекта в зоне установки тензорезистора. [27]
 |
Разброс омического сопротивления партии привариваемых тензорезисторов. [28] |
Ом, приращение сопротивления, зависящее от технологии приварки и равное приблизительно 0 5 Ом. Установка тензорезистора на криволинейную поверхность еще больше увеличивает сопротивление тензорезистора. [29]
Тензометрию натурных конструкций выполняли при исследовании напряженного состояния теплообменника реактора БН-600, где в качестве теплоносителя используется жидкий натрий при температуре 520 - 540 С. Температура в местах установки тензорезисторов в процессе пусконаладочных работ составляла до 300 С при длительности измерений около 2 мес, а в период освоения мощности - до 400 - 500 С при длительности около 4 мес. [30]
Страницы: 1 2 3 4