Фотоэлектрическая установка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Лучше уж экстрадиция, чем эксгумация. Павел Бородин. Законы Мерфи (еще...)

Фотоэлектрическая установка

Cтраница 4


Установки спектрометрического и спектрографического анализа аналогичны, за исключением устройства их рецепторной части. В фотоэлектрических установках свет после диспергирующего элемента через специальные щели в фокальной плоскости попадает на фотоэлемент или фотоумножитель, соединенный с накопительным конденсатором и далее с регистрирующим потенциометром. Одна из щелей в приборах с фиксированными приемниками света предназначена для линии сравнения, а остальные - для линий анализируемого элемента или элементов. В приборах этого типа для каждой линии предусмотрен свой фотоэлектрический приемник. В сканирующих спектрометрах измерение интенсивности линии определяемого элемента производится фотоэлектрическим приемником, который передвигается вдоль спектра по специальной программе. Фотоэлектрический измерительный блок может также использоваться в качестве приставки к спектроскопу или спектрографу. Такой блок, состоящий из входной щели и фотоэлемента или фотоумножителя с измерительным устройством, устанавливается на место кассеты для фотопластинки. Сконструированный таким образом простой спектрометр может быть эффективно применен для анализа проб с несложным спектром.  [46]

В случае изотопного спектрального анализа часто приходится сравнивать линии, сильно отличающиеся по интенсивности. В фотоэлектрических установках для изотопного спектрального анализа применяются как способ накопления заряда на конденсаторах, так и способ сканирования линий.  [47]

Это показывает, что использование фотоэлектрических установок позволяет в значительной мере устранить фотометрические ошибки, обычные в визуальных и фотографических определениях кривых поглощения.  [48]

В полученном спектре интенсивность света в области характеристических частот будет меньше интенсивности ближайших соседних участков спектра. Ослабление интенсивности в области характеристических частот измеряют при помощи фотоэлектрической установки. Между ослаблением интенсивности линии, характерной для данного элемента, и концентрацией этого элемента в исследуемой пробе наблюдается линейная зависимость.  [49]

Обладая несравненно большей производительностью и экспресс-костью, современные фотоэлектрические методы анализа имеют неоспоримые преимущества перед фотографическими методами в практике промышленного контроля материалов обычной чистоты. Однако требованиям, предъявляемым для контроля особо чистых материалов, эти промышленные фотоэлектрические установки пока не удовлетворяют. Как и при фотографической регистрации, применение счетно-решающих машин и специальных устройств [1143, 1439] в квантометрических методах анализа ведет к увеличению точности и скорости определений.  [50]

Обладая несравненно большей производительностью и экспресс-ностью, современные фотоэлектрические методы анализа имеют неоспоримые преимущества перед фотографическими методами в практике промышленного контроля материалов обычной чистоты. Однако требованиям, предъявляемым для контроля особо чистых материалов, эти промышленные фотоэлектрические установки пока не удовлетворяют. Как и при фотографической регистрации, применение счетно-решающих машин и специальных устройств [1143, 1439] в квантометрических методах анализа ведет к увеличению точности и скорости определений.  [51]

В таком виде представляется зависимость измеряемой величи - ны А. В уравнение прямой (4.32) входят новые величины, зависящие от свойств фотоэлектрической установки. В связи с этим требуется стабильность сопротивлений i и R2, емкостей конденсаторов С и Съ. Изменение этих величин вызывает изменение наклона аналитических кривых.  [52]

В основу оценки разрешения двух спектральных линий равной интенсивности положен критерий Рэлея, в соответствии с которым указанные спектральные линии считаются разрешенными, если центральный дифракционный максимум второй линии совпадает с первым минимумом первой линии ( см. рис. 30, гл. Критерий Рэлея является условным и в некоторых случаях заниженным; например, современные фотоэлектрические установки и контрастная фотопластинка регистрируют различие в освещенностях или в световых потоках до 5 % и менее.  [53]



Страницы:      1    2    3    4