Установление - стационарное состояние
Cтраница 3
 |
Стационарные поляризационные кривые электроокисления метанола на различных металлах в 1 N HaS04 ( пунктирные линии и 1 N КОН ( сплошные линии. [31] |
Следует отметить, что установление стационарного состояния при поляризации электродов в растворах метанола на осмии и рутении требует значительных промежутков времени, и характеристики электродов в ходе работы быстро ухудшаются. Кроме того, на рутении и осмии процесс при сравнительно низких потенциалах пассивируется вследствие адсорбции кислорода. [32]
Время, необходимое для установления стационарного состояния, зависит от времени реакции ионосферы и времени прохождения волны между ионосферой и магнитопаузой. Основная задержка в установлении стационарного состояния обусловлена временем распространения волны через систему. Поскольку это время сравнимо с временными масштабами флуктуации в солнечном ветре, то стационарное состояние устанавливается исключительно редко. Согласно Коронити и Кеннелу ( Coroniti and Kennel, 1973), время реакции ионосферы всего порядка 5 - 10 мин. [33]
Время, необходимое для установления стационарного состояния при вынужденном течении газа через трубку, заполненную частицами пористого вещества. [34]
Можно показать, что установление стационарного состояния диффузии, при котором значение тока диффузии отличается от нуля, связано не со сферической формой электрода, а с его конечными линейными размерами. В случае диффузии к плоскому электроду, представляющему не бесконечную плоскость, а диск, или вообще какое-либо тело определенных размеров, находящееся в неограниченной и однородной среде, также происходил бы постепенный переход от нестационарной диффузии к стационарному состоянию. Величина стационарного тока в этих условиях зависит от линейных размеров рассматриваемой поверхности. [35]
 |
Изменение содержания глицина со вре-менем при диффузии через ионообменные мембраны. [36] |
Криволинейные участки соответствуют периоду установления стационарного состояния в мембране, первоначально не содержавшей частиц данного сорта. [37]
Анодный ток на этапе установления стационарного состояния также изменяется со временем примерно по экспоненциальному закону. [38]
Выведите формулу тля времени установления стационарного состояния в схеме рис. 3.4. Считайте, что напряжение на входе имеет прямоугольную форму и емкость Ср настолько велика, что искажения импульсов на выходе незначительны. [39]
Нижняя часть диаграммы отвечает установлению стационарного состояния равновесия. [41]
Показать, что при установлении стационарного состояния в двух соединенных капилляром сосудах с газом Кнудсена энтропия газов уменьшается. [42]
С другой стороны, для установления стационарного состояния в цепи метаболических процессов должен пройти определенный период, в течение которого перед узким место накопится достаточное количество предшественника ( продукта предыдущей стадии), необходимое для того, чтобы эта самая медленная реакция биосинтеза началась и достигла определенной скорости. При этом накопление промежуточного вещества в цепи последовательных обратимых реакций может привести и приводит к снижению скорости реакций предыдущих стадий синтеза. [43]
 |
Зависимость емкости варикапа на основе n - Si ( о и р - Si ( б от напряжения смещения при частоте. а / - 50 Гц. 2 - 103 Гц. 3 - 10s Гц. 4 - теория. б / - 1 кГц. 2 - 100 кГц. 3 - 1 МГц. [44] |
Процесс перераспределения зарядов продолжается до установления стационарного состояния. Ему соответствует равенство генерационного и рекомбинационного потоков. Глубина приповерхностной ОПЗ уменьшается до значения - dL, что сопровождается увеличением емкости МДП-конденсатора. В режиме инверсионного канала емкость почти не зависит от температуры. Коэффициент перекрытия КСС / С0, определяющий эффективность МДП-конденсатора как варикапа, зависит от ограничительной емкости окисла и конструкции. При наличии инверсии МДП-варикапы в области средних частот эквивалентны варикапам на р - n - переходах. МДП-элемент более технологичен и может быть изготовлен на основе планарной технологии, обеспечивающей понижение оптических и рекомбинационных потерь в приборах. При достаточно хорошо отработанной технологии изготовления структур типа МДП потери на токи утечки можно снизить до 30 % Это обеспечивает повышение КПД МДП-фотоприемников в 1 5 - 2 раза по отношению к обычным приборам. При слабых засветках фотовари-капы описываются коэффициентом светочувствительности / Сев. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5