Cтраница 2
Во всех случаях важным дианостическим критерием является устойчивость результирующих параметров, получаемых по разным опытным скважинам и при разных режимах возмущения. [16]
Испытания на влагоустойчивость проводятся с целью определения устойчивости параметров радиоаппаратуры при относительно кратковременном ( до 96 часов) или длительном ( до 30 суток) ее пребывании в атмосфере с повышенной относительной влажностью. [17]
Хорошо продуманная и максимально простая электромонтажная схема обеспечивает устойчивость параметров аппаратуры, уменьшает потери в электрических цепях, устраняет вредные связи и взаимные наводки одной линии цепи на другие. Такой электрический монтаж упрощает осмотр деталей, узлов и блоков, обеспечивает быстрое обнаружение неисправностей, а также удобный ремонт или замену вышедших из строя узлов и деталей на месте. [18]
Такое испытание проводится для проверки надежности ( работоспособности и устойчивости параметров) аппаратуры, подвергающейся действию дождя. [19]
Испытания на устойчивость к солнечной радиации проводят для определения устойчивости параметров изделий и для выявления дефектов ( обесцвечивания, повреждения покрытий и материалов) от солнечной радиации. Плотность теплового потока по суммарной мощности всех видов лучей рекомендуется замерять термоэлектрическим радиометром. Фотохимическая активность лучей измеряется по щавелевокислому методу и выражается в миллиграммах разложившейся щавелевой кислоты на 1 см2 за час при открытой экспозиции светочувствительного раствора. Количество разложившейся кислоты должно быть 5 4 - 5 5 мг / см2 ч при 80 С. [20]
Эти испытания заключаются в кратковременном воздействии тепла, чтобы определить устойчивость параметров изделий в условиях повышенной температуры. [21]
Вообще говоря, устойчивость стационарного решения (2.87) необходимо рассматривать совместно с устойчивостью параметров внешней электрической цепи в каждом конкретном случае. Такой анализ требует достаточно подробных сведений о каждой конкретной установке, что, как правило, отсутствует в публикациях. [22]
Рассмотрим основные этапы исследования риска проекта с ТЭО-ИНВЕСТ, который позволяет оценить устойчивость параметров эффективности проекта ( расчетный счет, NPV, IRR и другие выходные показатели) к изменениям входных данных ( цен на производимую продукцию ( услуги), мощности производства, инфляции, налогов и другие), провести анализ рисков вложения средств в проект. [23]
Конструкция в целом, а также конструкция ее отдельных элементов должна обладать достаточными запасами устойчивости параметров как в процессе изготовления, так и при эксплуатации. [24]
Стационарные открытые аккумуляторы с поверх -, ностными положительными и коробчатыми отрицательными пластинами отличаются устойчивостью параметров и большим сроком службы. Их большим преимуществом является меньшая по сравнению с закрытыми аккумуляторами типа СН чувствительность к низким температурам. Для аккумуляторов типа СН завод-изготовитель при температуре электролита 5 С гарантирует только 70 % номинальной емкости. Для аккумуляторов типа С ( СК) такая потеря емкости наступает при температуре электролита минус 20 С. [25]
Это испытание проводится для определения устойчивости покрытий от действия тумана, а также для определения устойчивости параметров аппаратуры при этом. [26]
В условиях бурения в глинистых породах и обогащения раствора солями пород и пластовых вод для улучшения устойчивости параметров раствора применяют высококальциевый глинистый раствор ( ВКР), в который входят реагенты: хлористый кальций, известь, сульфитспиртовая барда, карбоксиметилцел-люлоза. [27]
В книге приведены результаты многолетних исследований авторов качества поверхностного слоя при различных методах и режимах обработки; устойчивости параметров качества при изотермических нагревах в вакууме, их комплексного и раздельного влияния на сопротивление усталости при высокочастотном нагружении и рабочих температурах; влияния частоты нагружения на характеристики усталости жаропрочных сталей и сплавов при рабочих температурах. [28]
Характер структурных дефектов, приводящих к изменению электрофизических свойств полупроводников, подвергнутых радиационным воздействиям, имеет фундаментальное значение в вопросах об устойчивости параметров и обеспечении надежности работы полупроводниковых приборов, широко применяемых в автоматике современных летательных аппаратов, ядерной энергетике и других практически важных областях. В чисто научном плане проблема радиационной стойкости кристаллических тел вообще и полупроводниковых кристаллов в частности сводится к выяснению сложных механизмов взаимодействия первичных радиационных дефектов с атомами легирующих ( или остаточных) примесей, врожденными дефектами структуры кристалла, а также тех последствий ( начиная с изменений в зонной структуре), к которым эти взаимодействия приводят. [29]
Условия работы собственно детектора, очевидно, будут в одинаковой мере влиять на изменение любых параметров и поэтому в связи с устойчивостью параметров их можно не рассматривать. [30]