Радиационная устойчивость

Cтраница 1

Радиационная устойчивость определяется химической структурой макромолекулярного каркаса. Введением в структуру ароматических колец увеличивает радиационную стабильность. [1]

Радиационная устойчивость смол в меньшей степени зависит от чистоты мономеров и почти одинаковая для образцов на основе стирола и мета -, и пара - или технического дивинилбензола. [2]

Радиационная устойчивость смол зависит от содержания сшивающего агента: смолы с большей степенью сшивания относительно более устойчивы. [3]

Потеря обменной емкости различными анионообменниками, облученными на воздухе дозой 3 6 - Ю6 Гр. [4]

Радиационная устойчивость анионообменников зависит как от типа каркаса, так и от природы функциональных групп. [5]

Радиационная устойчивость смол, как и их химическая стойкость, изменяется в зависимости от их состава и структуры. Наиболее устойчивыми являются иониты, синтезированные на основе ароматических соединений, причем стойкость повышается с увеличением числа поперечных связок. [6]

Радиационная устойчивость термостойких полимеров зависит от строения полимера. [7]

Высокая химическая и радиационная устойчивость наряду с хорошими механическими свойствами гидроокиси титана позволяют применять ее для извлечения Ри и некоторых продуктов деления ( Ru, Zr. Однако вопрос о механизме обмена, о том, что определяет ионообменную способность сорбента, до сих пор остается по существу открытым. [8]

Зависимость потери емкости сульфокатионитов от дозы. [9]

Разная радиационная устойчивость сульфонолистирольных катионитов с одинаковым макросоставом, по-видимому, вызвана особенностями микростроения, зависящими от чистоты исходных продуктов и условий синтеза. [10]

Особая радиационная устойчивость сопряженных ароматических структур объясняется наличием большого числа делокализованных я-электронов. [11]

Термическая, химическая и радиационная устойчивость органических ионообменников зависит от типа полимерной матрицы, степени поперечного сшивания, типа ионогенных групп и их противоионов. [12]

Осциллограмма тока анода через тиристор при подаче ступеньки напряжения на анод. [13]

Радиационную устойчивость тиристоров 7ВКЛ можно повысить, увеличив ток спрямления ( заряд 2вкл) или уменьшив коэффициенты чувствительности к гамма-радиации. Но так как эти меры вызывают снижение чувствительности тиристоров к управляющему воздействию, то радиационную устойчивость триодных тиристоров предпочтительнее повышать схемными методами. [14]

Потеря обменной емкости различными анионообменниками, облученными на воздухе дозой 3 6 - Ю6 Гр. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5