Cтраница 2
Повышенная устойчивость электронных структур с полностью вакантными внешними квантовыми ячейками, а также наполовину заполненными электронами является следствием взаимного отталкивания друг от друга электронов, находящихся на одной и той же орбитали. [16]
Повышенная устойчивость солей арилдиазония сравнительно с солями алкилдиазониев связана, по-видимому, с затрудненным протеканием SN1 - реакций в случае ароматических производных ( разд. [17]
Повышенная устойчивость р-галогенвинилэтиловых эфиров к полимеризации позволяет проводить с их участием реакции с малоактивными ацеталями, как, например, ацеталями формальдегида. [18]
Повышенная устойчивость комплексных ионов по сравнению с молекулами первого порядка ( простыми) позволяет получить в форме комплексов такие соединения, которые неустойчивы ( не получены) в состоянии простых молекул. [19]
Повышенная устойчивость соединений ксенона в присутствии фторида и при концентрации гидроксил-ионов [ ОН ] 10 - 2 М на этой стадии исследования не нашла объяснения. Различие во времени полуреакции 7, для растворов с различной концентрацией [ ОН - ] может быть объяснено влиянием ионной силы, но различие в Т1 / г для [ ОН ] 6 0 М, по-видимому, определяется природой самой реакции. Но в области от 10 2 до 6 М зависимость от концентрации гидроокиси может быть больше нулевой. Однако при [ ОН ] 10 - 7 М водные соединения ксенона определенно неустойчивы. [20]
Повышенная устойчивость катодного пятна на тонкой пленке ртути хорошо объясняет тенденцию пятна фиксироваться у границы смачивания ртутью соприкасающихся с ней металлов. Действительно, как только какая-либо часть пятна покидает эту область катода, она должна автоматически распадаться в пользу остающейся части, которая находится в более выгодных условиях. [21]
Повышенная устойчивость комплексных соединений с полиден-татными лигандами называется хелатным эффектом. [22]
Повышенная устойчивость комплексных соединений с макроиик-лическими лигандами называется макроииклическим эффектом. [23]
Повышенная устойчивость солей арилдиазония сравнительно с солями алкилдиазониев связана, по-видимому, с затрудненным протеканием S i-реакций в случае ароматических производных ( стр. [24]
Повышенная устойчивость несамостоятельных разрядов с электронным пучком позволяет увеличить предельный энерговклад. [25]
![]() |
Зависимость ионизационных потенциалов атомов от порядкового номера. [26] |
Повышенная устойчивость электронных структур с полностью вакантными внешними квантовыми ячейками, а также наполовину заполненными электронами является следствием взаимного отталкивания друг от друга электронов, находящихся на одной и той же орбитали. [27]
Повышенная устойчивость газообразной хлорной кислоты по сравнению с жидкой объясняется отсутствием в газовой фазе равновесной диссоциации кислоты на ангидрид и моногидрат. Моногидрат хлорной кислоты в парах не существует. Отсутствие в ней хлорного ангидрида было установлено по инфракрасному спектру. Именно отсутствие хлорного ангидрида, распад которого автокаталитически ускоряет разложение жидкой кислоты, вызывает повышение термической стабильности хлорной кислоты в газовой фазе и обусловливает иной механизм этого процесса. [28]
Повышенная устойчивость ламинарных колебаний жидкости в какой-то степени объясняется тем, что возмущения потока зарождаются в пограничном слое толщиной Н ъ по соотношению ( 77) и развиваются почти таким же образом, как и при пуазей-левом течении. [29]
![]() |
Программное реле времени. [30] |