Cтраница 3
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором и каналом п-типа. Предназначен для применения в переключательных устройствах и в быстродействующих импульсных схемах. Выпускается в металлостек-лянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [31]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n - p - п переключательные. Предназначены для применения в бесконтактных переключательных устройствах, для управления электродвигателями, в быстродействующих ключевых схемах с низким напряжением насыщения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. [32]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р - п переключательные. Предназначены для работы в быстродействующих переключательных устройствах. [33]
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р - п импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. [34]
Транзисторы кремниевые эпи-таксиально-планарные структуры п-р - п универсальные. Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах. Транзисторы 2Т881А - 2Т881Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзисторы 2Т881А - 5, 2Т881Б - 5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристал-лодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. [35]
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p - n - р усилительный. Предназначен для применения в усилительных и переключательных устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с ленточными выводами. Тип прибора указывается в этикетке. [36]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n - p - п универсальные. Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем. Выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. [37]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p - n - р универсальные. Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем. Выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. [38]
При б 10 - 4 и п 4 время установления для данного примера достигает 0 5 с. Для повышения быстродействия таких ПКСН переключательные устройства их делают многофазными, m - фазными. В этом случае пульсации на выходе фильтра уменьшаются в т раз, что дает возможность уменьшить число звеньев фильтра и благодаря этому повысить быстродействие ПКСН. [39]
При установке мощных однофазных повысительных трансформаторов в группах на каждые две-три трехфазные группы предусматривается по одной резервной фазе. Регулирование напряжения у трансформаторов производится с помощью переключательного устройства. Иногда устанавливаются трансформаторы с регулированием под нагрузкой. Для регулирования напряжения в системах в некоторых случаях последовательно с силовыми повысительными трансформаторами включают особые регулировочные трансформаторы. [40]
В этих инструкциях должны быть отражены также общие указания по эксплуатации. Порядок оперирования переключателем у трансформатора зависит от вида переключательного устройства. В том случае, когда переключатель предназначен для ответвлений под нагрузкой, переключения производятся дистанционно и отключать трансформатор от сети не требуется. Если же переключатель ответвлений не предназначен для переключений под нагрузкой, оперировать им можно лишь после того, как трансформатор отключен от сети со всех сторон. [41]
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры р-п - р универсальный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты и переключательных устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [42]
Транзистор кремниевый эпитаксиально-плапарный п-р - п усилительный. Предназначен для работы в усилителях высокой частоты, импульсных и переключательных устройствах. [43]
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р - п усилительный. Предназначен для применения в усилителях мощности низкой частоты и в переключательных устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [44]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p - n - р универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот, а также в переключательных устройствах герметизированной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. [45]