Cтраница 3
Были определены значения энергии диссоциации тетрамеров на димеры для элементов V группы. Значения Z) ( As2 - As2) 69 6 ккал / молъ и Z ( Sb2 - Sb2) 63 4 ккал / молъ находятся в хорошем согласии с данными, полученными ранее при изучении испарения GaAs и InSb. Сульфид цинка разлагается при нагревании до температуры около 1000 К. Был рассчитан нижний предел энергии диссоциации D ( SZ), равный 78 ккал / молъ. Было исследовано также испарение селена. [31]
В главах VII-X дается обзор работ по изучению испарения как самих окислов, так и более летучих продуктов низшей валентности, получаемых, в частности, нагреванием окислов в восстановительных условиях. Моноокись кремния SiO, получаемая, например, по реакции Si02 Si2SiO, является наиболее характерным летучим окислом кремния. Глава VII посвящена преимущественно свойствам этого соединения. В остальных указанных главах рассмотрены выполненные за последние годы работы по изучению испарения окислов элементов II-VI групп Периодической системы. Исследование испарения окислов - один из наиболее интенсивно разрабатываемых разделов высокотемпературной химии. Проникновение техники в область очень высоких температур требует знания не только условий перехода твердого или жидкого окисла в газообразную фазу, но и знания строения, свойств и устойчивости газообразных окислов. [32]
Как уже отмечалось, в предыдущей главе использовалась имеющая наибольшее распространение удобная и естественная гипотеза поверхностного ( или, по терминологии Н. А. Шаховой, нормального) роста гранул, согласно которой материал отлагается на гранулах в виде колец. В процессах обезвоживания различных растворов были получены пробы и срезы гранул с характерным неравномерным режимом роста. Таким образом, механизм роста гранул неоднозначен и, вероятно, существенно зависит от специфики раствора и режима процесса, определяющих характер взаимодействия диспергированного раствора с дисперсной твердой фазой. Очевидно, что в основе соответствующих исследований должно лежать изучение испарения капель жидкости в кипящем слое. [33]