Реальное устройство
Cтраница 2
В реальных устройствах переключательный p - i - n - диод представляется сосредоточенным элементом, параметры которого в двух различных состояниях описываются линейной эквивалентной схемой. Используемые далее эквивалентные схемы представлены на рис. 6.1.4, где г - сопротивление потерь при положительном смещении; С - емкость / - / - и-диода; г - последовательное сопротивление потерь при нулевом или отрицательном смещении. [16]
В реальных устройствах соблюсти точно все названные выше условия, обеспечивающие неизменность направления оси собственного вращения гироскопа, не удается, вследствие чего ротор совершает движение, хотя обыч-нб и близкое к желаемому, но все же отличное от него. [17]
В реальных устройствах приходится иметь дело с импульсами, форма которых лишь напоминает рассмотренные, и однозначное выделение участков уже невозможно без их количественного определения. [18]
В реальных устройствах, однако, мощность выделяемых гармоник получается значительно меньше, поскольку проведенный анализ группирования электронного потока не учитывал ряд факторов ( взаимного расталкивания электронов, разности их аксиальных скоростей и др.), влияющих на процесс группирования. Мощность колебаний частоты по обычно на практике не превышает 10 % от мощности колебаний частоты ш, подводимых ко входу. [19]
 |
Структурная схема устройств с однопетлевой последовательной обратной связью по напряжению. [20] |
В реальных устройствах различают три вида обратных связей: внутреннюю, внешнюю и паразитную. Внутренняя обратная свя ь имеется во всех полупроводниковых приборах и зависит от FX физических свойств. Внешняя обратная связь определяется наличием специальных цепей, паразитная - паразитными емкостными, индуктивными и другими связями, создающими пути для передачи сигнала с выхода на вход. Обратные связи всех видов могут сильно изменять основные характеристики электронного устройства, причем часто в нежелательном направлении. Однако в большинстве случаев ни внутренними, ни паразитными обратными связями управлять невозможно. Поэтому в реальных схемах обычно стремятся лишь уменьшить их. Внешняя обратная связь легко управляема, ее специально вводят в схему для изменения характеристик устройства в нужном направлении. Основными, как правило, являются частотные и фазовые характеристики. Частотная характеристика для однокаскадного усилителя нами рассматривалась в § 5.9. Частотно-фазовые характеристики ( изменение фазы выходного сигнала относительно входного от частоты) и амплитудные характеристики будут рассмотрены в § 11.3; здесь же обратим особое внимание на то, как изменяются коэффициенты усиления ( Кл, Kv и КР) от изменения частоты при введении обратной связи. [21]
В реальных устройствах выходное сопротивление ИТУН, равное бесконечности, не обеспечить, но сделать его больше RH на три-четыре порядка в некотором диапазоне токов вполне возможно. [22]
 |
Схемы течений в элементе с одной диафрагмой при нагрузке на глухую камеру. [23] |
В реальных устройствах каналы, соединяющие источники давления с соплами, обладают сопротивлениями. [24]
 |
Амплитудная характеристика УО. о амплитудная. б К в функции от ( Uml. [25] |
В реальных устройствах - напряжение на входе приемного устройства Umi может изменяться в диапазоне 60 - H8Q дб и при этом не должно изменяться фазовое соотношение сигналов в различных каналах. [26]
В реальных устройствах на транзисторы за счет падения напряжения в эмиттерных шинах воздействуют импульсы помех ДУ, которые даже в удачно выполненных конструкциях могут достигать величины порядка 10 лее. [27]
В реальном устройстве существенную роль играет и чисто случайный фактор - естественные флюктуации направления и скорости движения. Текущие координаты луча передаются системой непрерывно. Если в поле зрения отсутствует изображение, траектория поиска создает на экране приемной электроннолучевой трубки слабо светящийся почти однородный ( вследствие равномерности распределения координат) фон. [28]
В реальных устройствах входные напряжения могут иметь определенные нелинейные искажения. Наличие высших гармоник в обоих входных напряжениях ( даже при квадратичной характеристике) вызывает появление нелинейных искажений сигнала промежуточной частоты. Если на работу преобразователя влияют нелинейные члены второго порядка, то нелинейные искажения сигнала промежуточной частоты возникают и при наличии высших гармонических составляющих только в напряжении гетеродина. Ближайшие гармоники выходного напряжения сравнительно мало удалены по частоте от основного колебания, и поэтому подавить их труднее, чем побочные высокочастотные составляющие спектра выходного напряжения. Появление нелинейных искажений колебания промежуточной частоты может привести к дополнительным фазовым погрешностям. [29]
В реальных устройствах с непосредственной связью каскадов источник Ест обычно заменяется стабилитроном VD, как это показано штриховой линией на рис. 6.1, который, как и источник смещения, может уменьшать напряжение на сопротивлении нагрузки RH до нуля. См не течет, в то время как через стабилитрон обязательно должен протекать ток / ст, обеспечивающий режим стабилизации и компенсацию постоянного потенциала. В связи с этим схема согласования каскадов УПТ со стабилитроном менее экономична, но более удобма для практики. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5