Ключевое устройство

Cтраница 3

Некоторым отличием является сравнительно большое, порядка нескольких сот ом, сопротивление замкнутого ключа, что в основном и определяет погрешность ключевого устройства. Эта погрешность может быть уменьшена путем) увеличения сопротивления нагрузки на коммутатор. Несмотря на значительный прогресс, достигнутый в применении интегральных схем в коммутаторах, пройдет еще некоторое время, прежде чем коммутаторы с требуемыми характеристиками мож - Usxs0 - но будет полностью строить на интегральных схемах, при стоимости интегральных схем, допускающей их широкое применение. [31]

Вольт-амперная характеристика обращенного диода. [32]

Большой обратный ток и нелинейность вблизи нулевой точки позволяют использовать такие туннельные диоды в качестве пассивного элемента радиотехнических устройств, детекторов и смесителей для работы при малом сигнале и как ключевые устройства для импульсных сигналов малой амплитуды. При изготовлении обращенных диодов добиваются, чтобы степень вырождения одной из областей была малой. Например, n - область легируют так, чтобы уровень Ферми располагался вблизи нижней границы зоны проводимости. Вольт-амперная характеристика такого прибора принимает вид, приведенный на рис. 3.21. При прямом включении участок с отрицательной проводимостью исчезает. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики обращенного диода практически не отличается от характеристики обратно смещенного туннельного диода. [34]

Учет влияния тепловой обратной связи на примере МДП-тран-зистора. [35]

Тепловой расчет импульсного режима по методике режима постоянного тока может дать значительную погрешность - особенно в режимах с прямоугольной формой тока, характерных для работы полупроводниковых приборов в ключах постоянного тока, импульсных генераторах и других ключевых устройствах. [36]

Существенные изменения внесены главным образом в кинематические узлы этих механизмов для обеспечения надежной фиксации оси в отключенном состоянии, уменьшения износа подвижных частей механизма и устранения резонансных вибраций. Управление осуществляется простейшими транзисторными ключевыми устройствами. Современные шаговые механизмы храпового типа обеспечивают частоту срабатываний до 150 гц. [37]

При подъеме контролируемой поверхности и уходе ее от акустического преобразователя ультразвуковые сигналы, посылаемые пьезо-излучателем, не попадают в пьезокристалл. С исчезновением сигнала ключевое устройство запирается и обесточивает реле, которое сигнализирует о подъеме контролируемой поверхности относительно положения акустического преобразователя. [38]

РН-4 в основном состоит из тех же узлов, что и регулятор РН-2. Новым является лишь ключевое устройство. [39]

Принципиальная схема регулятора РН-3 с цепями подключения на автомобиле. [40]

Как видно из схемы, измерительное пороговое устройство и релейный усилитель постоянного тока такие же, как и в регуляторе РН-1. Новым в схеме является ключевое устройство, состоящее из двух транзисторных ключей VI, V5 и транзистора V4, обеспечивающего развязку измерительной и силовой цепей регулятора. [41]

Источником импульсного напряжения для работы модулятора и демодулятора является полупроводниковый задающий генератор, выполненный по схеме Роэра. Формирование прямоугольных импульсов осуществляется ключевыми устройствами. Импульсы следуют с частотой 3 кгц и обладают скважностью, равной единице. [42]

Транзисторы кремниевые пленарные п-р - п переключательные. Предназначены для работы в ключевых устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. [43]

Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р - п переключательные. Предназначены для применения в ключевых устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. [44]

Транзисторы кремниевые планарные п-р - п переключательные. Предназначены для работы в ключевых устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5