Изучение - кристалл
Cтраница 2
При изучении кристаллов алмаза, полученных из шихты, содержащей As, установлено, что влияние этой примеси на полупроводниковые свойства образцов устойчиво проявляется только при одновременном присутствии в шихте Ti и технологических добавок, обеспечивающих скорость роста кристаллов не более 1 7 - 10 - 3 м / с. Очевидно, такие условия, при которых формируются практически безазотные кристаллы ( см. гл. Образованию в них электрически активных дефектов с участием атомов мышьяка. На образцах с большим сопротивлением определить тип проводимости известными способами ие удается. На температурных зависимостях сопротивления кристаллов n - типа проводимости имеются пологие участки, соответствующие энергии активации 0 008 - 0 03 эВ в низкотемпературной области и 0 25 - 0 58 эВ в высокотемпературной, что также можно объяснить наличием примесной зоны. [16]
При изучении кристаллов ZnS, легированных Р, As к Sb [3.3], было показано, что эти примеси могут вести себя как активаторы, а в присутствии Си как соактиваторы, замещая атомы Zn в виде трехвалентных ионов. [17]
При изучении кристаллов алмаза, полученных из шихты, содержащей As, установлено, что влияние этой примеси на полупроводниковые свойства образцов устойчиво проявляется только при одновременном присутствии в шихте Ti и технологических добавок, обеспечивающих скорость роста кристаллов не более 1 7 - 10 - 3 м / с. Очевидно, такие условия, при которых формируются практически безазотные кристаллы ( см. гл. На образцах с большим сопротивлением определить тип проводимости известными способами ие удается. На температурных зависимостях сопротивления кристаллов n - типа проводимости имеются пологие участки, соответствующие энергии активации 0 008 - 0 03 эВ в низкотемпературной области и 0 25 - 0 58 эВ в высокотемпературной, что также можно объяснить наличием примесной зоны. [18]
При изучении усеченных кристаллов линейного полиэтилена фор-тифлекс ( фирмы Celanese Corporation of America) с индексом расплава 5 0, выращенных при 85 С в ксилоле, было найдено, что 100 -области перегиба значительно отличались по деформационным характеристикам от 110 -областей перегиба. [19]
 |
Катионные многогранники. [20] |
На основании рентгенометрического изучения кристаллов и сопоставления размеров слагающих их структурных единиц В. М. Гольдшмидт установил принцип: строение кристаллов определяется количеством структурных единицг соотношением их размеров и поляризационными свойствами. [21]
 |
Катионные многогранники. [22] |
На основании рентгенометрического изучения кристаллов и сопоставления размеров слагающих их структурных единиц В. М. Гольдшмидт установил принцип: строение кристаллов определяется количеством и соотношением размеров структурных единиц, а также их поляризационными свойствами. [23]
Интерес к изучению кристаллов увеличивается еще благодаря тому, что в них можно ожидать появления свободных ионов, не захватывающих при своем движении молекул окружающей среды, в противоположность недостаточно разреженным газам и жидкостям. [24]
Интерес к изучению кристаллов увеличивается еще благодаря тому, что в них можно ожидать появления свободных ионов, не захватывающих при своем движении молекул окружающей среды, в противоположность недостаточно разреженным газам и жидкостям. [25]
В работах по изучению кристаллов используются числовые верхние индексы для обозначения пространственных групп, изоморфных с точечной группой. [26]
По мере совершенствования методов изучения кристаллов ( прецизионные методы рентгеновского анализа, микроскопия и электроноскопия) оказалось, что кристаллические тела не являются идеальными, а обладают рядом дефектов кристаллической структуры. Грубые дефекты кристаллической структуры, образующиеся при получении кристаллов, - поры, трещины мы не рассматриваем, так как они обычно получаются при нарушении технологии отлиски или сварки металлов или при выращивании кристаллов из расплавов, растворов или из газовой фазы. Нарушения микроструктуры кристаллов обнаруживаются с большим трудом, но так как они сильно влияют на физические свойства твердых тел, то их изучение в настоящее время ведется весьма интенсивно. [27]
По мере совершенствования методов изучения кристаллов ( прецизионные методы рентгеновского анализа, микроскопия и электроноскопия) оказалось, что кристаллические тела не являются идеальными, а обладают рядом дефектов кристаллической структуры. [28]
Этот метод был использован при изучении кристаллов арсенида галлия, легированных теллуром, с концентрацией электронов 2 - Ю16 - 6 5 - 1018 см-3. [29]
Итак, мы видим, что изучением кристаллов занимались многие ученые различных стран. Трудами многих поколений исследователей была создана современная теория строения кристаллов и наука о кристаллах - кристаллография. [30]
Страницы: 1 2 3 4